一种石墨烯粉体的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118908194A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411144618.5

    申请日:2024-08-20

    发明人: 吴艳红 张婧 瞿研

    IPC分类号: C01B32/184 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开一种石墨烯粉体的制备方法,包括如下步骤:准备氧化石墨烯,所述氧化石墨烯的层数≤3层;使用氧化石墨烯制备氧化石墨烯分散液;将氧化石墨烯分散液还原、分离、干燥得到还原氧化石墨烯固体物;对还原氧化石墨烯固体物进行蓬松化处理,得到蓬松的还原氧化石墨烯粉体;对所述蓬松的还原氧化石墨烯粉体进行高温煅烧,得到石墨烯粉体。本发明制备的石墨烯弥补了市面上石墨烯粉体与理论石墨烯导电性之间的部分差距,更进一步提升了石墨烯的实际应用价值,为锂电池实现高能量密度和更高快充性能提供了有利支撑,实现石墨烯粉体的宏量制备,满足下游应用的要求。

    一种基于膨胀热还原法制备石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN118894524A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202411157133.X

    申请日:2024-08-22

    发明人: 吴艳红 瞿研

    IPC分类号: C01B32/184

    摘要: 本发明公开了一种基于膨胀热还原法制备石墨烯粉体的方法,包括如下步骤:准备单层的氧化石墨烯;使用所述氧化石墨烯制备氧化石墨烯分散液;采用喷雾干燥的方法,将所述氧化石墨烯分散液干燥得到氧化石墨烯粉体;对所述氧化石墨烯粉体进行膨胀热处理,得到蓬松的还原氧化石墨烯粉体;对得到的所述蓬松的还原氧化石墨烯粉体进行高温煅烧,得到石墨烯粉体。本发明制备的石墨烯弥补了市面上石墨烯粉体与理论石墨烯导电性之间的部分差距,更进一步提升了石墨烯的实际应用价值,为锂电池实现高能量密度和更高快充性能提供了有利支撑,实现寡层石墨烯粉体的宏量制备,满足下游应用的要求。

    一种基于氧化还原法制备石墨烯粉体的方法

    公开(公告)号:CN118877881A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411144671.5

    申请日:2024-08-20

    发明人: 吴艳红 瞿研

    摘要: 本发明公开一种基于氧化还原法制备石墨烯粉体的方法,包括如下步骤:制备氧化石墨烯,所述氧化石墨烯的层数≤3层;使用氧化石墨烯制备氧化石墨烯分散液;将氧化石墨烯分散液还原、喷雾干燥、二次干燥,得到蓬松的还原氧化石墨烯粉体;对所述蓬松还原氧化石墨烯粉体进行高温煅烧,得到石墨烯粉体。本发明制备的石墨烯弥补了市面上石墨烯粉体与理论石墨烯导电性之间的部分差距,更进一步提升了石墨烯的实际应用价值,为锂电池实现高能量密度和更高快充性能提供了有利支撑,实现寡层石墨烯粉体的宏量制备,满足下游应用的要求。

    基于溶剂热法制备石墨烯-铁氧体复合膜的制备方法

    公开(公告)号:CN117383625A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311421415.1

    申请日:2023-10-30

    摘要: 本发明介绍一种基于溶剂热法制备石墨烯‑铁氧体复合膜的制备方法,包括将石墨烯薄膜超声处理、清洗并在酸性溶液中浸泡,经过干燥后得到表面粗糙的石墨烯薄膜;调节铁氧体前驱体溶液的pH值到7~11,充分搅拌后,将铁氧体溶液转移到高压反应釜中,加入石墨烯薄膜,在160~220℃保温10~18h,冷却、干燥后得到铁氧体‑石墨烯复合膜,本发明工艺简单,可规模化生产,同时不会破坏石墨烯薄膜的结构;本发明还涉及由此方法制备得到的铁氧体‑石墨烯复合膜,铁氧体颗粒与石墨烯薄膜之间的结合力强,铁氧体均匀的分布在石墨烯薄膜表面,保留石墨烯薄膜较好的导热性和机械柔韧性,由此制得的复合膜具有良好的散热功能和电磁波屏蔽功能。

    弱氧化、大尺寸氧化石墨烯及其制备方法

    公开(公告)号:CN116730332A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202210204357.6

    申请日:2022-03-02

    IPC分类号: C01B32/198

    摘要: 本发明提供一种弱氧化、大尺寸氧化石墨烯及其制备方法,包括:S1:石墨与浓硫酸预混后,用冷水机将釜内温度降至10℃以下;S2:向步骤S1的体系中加入插层剂和保护剂,并完成插层反应,得到插层氧化物;S3:向步骤S2的混合物中加入氧化剂,完成氧化反应;S4:向步骤S3处理后的体系中加入水进行水化反应;S5:抽滤、洗涤后得到弱氧化、大尺寸氧化石墨烯。本发明与传统Hummers法相比较,氧化剂用量降至2.0,氧化剂成本降低约33%,得到的大尺寸、弱氧化GO的平均尺寸约81μm,氧含量≤40%。