公开(公告)号：CN102367571B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110278863.1

申请日：2011-09-20

Applicant: 常州机电职业技术学院

Inventor： 张波 ,  朱葛俊 ,  陆建军 ,  虞文武 ,  沈俊 ,  姜清 ,  张小培

IPC: C23C16/509

Abstract: 本发明涉及一种提高纳米PET薄膜表面亲水性的制备方法，将表面清洗后的纳米PET薄膜放在射频等离子体发生器内，常温在氩气或氩气与氦气的混合气体的条件下进行辉光放电，其工作真空度控制在20～45Pa，时间控制在3～5.5min，将改性后的纳米PET薄膜表面暴露于空气中，经24～84小时的时效处理，再将纳米PET薄膜放置射频等离子体发生器，常温在氩气或氩气与氦气混合气体的条件下进行辉光放电，工作真空度控制在10～35Pa，时间控制在5～7.5min。经本发明处理后的PET薄膜表面亲水性的均匀性好，具有性能重复性好，制备工艺简单，生产效率高的特点。

公开(公告)号：CN102367571A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201110278863.1

申请日：2011-09-20

Applicant: 常州机电职业技术学院

Inventor： 张波 ,  朱葛俊 ,  陆建军 ,  虞文武 ,  沈俊 ,  姜清 ,  张小培

IPC: C23C16/509

Abstract: 本发明涉及一种提高纳米PET薄膜表面亲水性的制备方法，将表面清洗后的纳米PET薄膜放在射频等离子体发生器内，常温在氩气或氩气与氦气的混合气体的条件下进行辉光放电，其工作真空度控制在20～45Pa，时间控制在3～5.5min，将改性后的纳米PET薄膜表面暴露于空气中，经24～84小时的时效处理，再将纳米PET薄膜放置射频等离子体发生器，常温在氩气或氩气与氦气混合气体的条件下进行辉光放电，工作真空度控制在10～35Pa，时间控制在5～7.5min。经本发明处理后的PET薄膜表面亲水性的均匀性好，具有性能重复性好，制备工艺简单，生产效率高的特点。