公开(公告)号：CN113774418A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111114461.8

申请日：2021-09-23

Applicant: 常州工程职业技术学院

Inventor： 李龙珠 ,  仇志海 ,  李兴安 ,  陈一凡 ,  陈玉伟 ,  唐惠东 ,  杨蓉 ,  丁玉婕

IPC: C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明属于光电化学技术领域，提出一种三维导电骨架的制备及其在氧化铁光阳极中的应用。所述三维导电骨架，是通过物理沉积的方法在导电玻璃FTO表面上覆盖上两层由具有颗粒级配的聚苯乙烯球形成的薄膜，然后旋涂上导电基底溶液，再经过烧结的方法获得的。该三维导电骨架能够用于制备氧化铁光阳极，即将三维导电骨架作为基底附着上氧化铁半导体膜。所制备的三维导电骨架上原位生长的氧化铁半导体膜具有优异的光电响应，与在FTO上原位生长的氧化铁半导体膜相比，其开启电势负移0.23mV，光电流提升8倍，达到1.2mA/cm2(1.23V vs.RHE.)。同时，整个制备方法简单，不需要复杂的制备设备，便于工业化。

公开(公告)号：CN113774418B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202111114461.8

申请日：2021-09-23

Applicant: 常州工程职业技术学院

Inventor： 李龙珠 ,  仇志海 ,  李兴安 ,  陈一凡 ,  陈玉伟 ,  唐惠东 ,  杨蓉 ,  丁玉婕

IPC: C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明属于光电化学技术领域，提出一种三维导电骨架的制备及其在氧化铁光阳极中的应用。所述三维导电骨架，是通过物理沉积的方法在导电玻璃FTO表面上覆盖上两层由具有颗粒级配的聚苯乙烯球形成的薄膜，然后旋涂上导电基底溶液，再经过烧结的方法获得的。该三维导电骨架能够用于制备氧化铁光阳极，即将三维导电骨架作为基底附着上氧化铁半导体膜。所制备的三维导电骨架上原位生长的氧化铁半导体膜具有优异的光电响应，与在FTO上原位生长的氧化铁半导体膜相比，其开启电势负移0.23mV，光电流提升8倍，达到1.2mA/cm2(1.23V vs.RHE.)。同时，整个制备方法简单，不需要复杂的制备设备，便于工业化。