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公开(公告)号:CN100537217C
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN02803118.0
申请日:2002-09-03
Applicant: 帝人株式会社
CPC classification number: G02B1/116 , B32B7/02 , B32B27/06 , B32B27/18 , G02B5/286 , G02B5/287 , G06F3/045 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/258 , Y10T428/259
Abstract: 在有机高分子膜的至少一个面上依次叠层光学干涉层,透明导电层,光学干涉层由高折射率层和低折射率层构成、且低折射率层与透明导电层连接,光学干涉层由交联聚合物构成的透明导电性叠层体中,前述光学干涉层含有由金属氧化物及/或金属氟化物构成的一次粒径在100nm以下的超微粒子A、以及/或者,在高折射率层和低折射率层的至少其中之一内含有平均一次粒径在光学干涉层的膜厚1.1倍以上、并且在1.2μm以下的微粒子B,其含量在交联聚合物的0.5重量%以下。该透明导电性叠层体用于透明触摸面板的透明电极基板。
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公开(公告)号:CN101544075B
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN200910137030.6
申请日:2002-09-03
Applicant: 帝人株式会社
CPC classification number: G02B1/116 , B32B7/02 , B32B27/06 , B32B27/18 , G02B5/286 , G02B5/287 , G06F3/045 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/258 , Y10T428/259
Abstract: 在有机高分子膜的至少一个面上依次叠层光学干涉层,透明导电层,光学干涉层由高折射率层和低折射率层构成、且低折射率层与透明导电层连接,光学干涉层由交联聚合物构成的透明导电性叠层体中,前述光学干涉层含有由金属氧化物及/或金属氟化物构成的一次粒径在100nm以下的超微粒子A、以及/或者,在高折射率层和低折射率层的至少其中之一内含有平均一次粒径在光学干涉层的膜厚1.1倍以上、并且在1.2μm以下的微粒子B,其含量在交联聚合物的0.5重量%以下。该透明导电性叠层体用于透明触摸面板的透明电极基板。
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公开(公告)号:CN101544075A
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200910137030.6
申请日:2002-09-03
Applicant: 帝人株式会社
CPC classification number: G02B1/116 , B32B7/02 , B32B27/06 , B32B27/18 , G02B5/286 , G02B5/287 , G06F3/045 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/258 , Y10T428/259
Abstract: 在有机高分子膜的至少一个面上依次叠层光学干涉层,透明导电层,光学干涉层由高折射率层和低折射率层构成、且低折射率层与透明导电层连接,光学干涉层由交联聚合物构成的透明导电性叠层体中,前述光学干涉层含有由金属氧化物及/或金属氟化物构成的一次粒径在100nm以下的超微粒子A、以及/或者,在高折射率层和低折射率层的至少其中之一内含有平均一次粒径在光学干涉层的膜厚1.1倍以上、并且在1.2μm以下的微粒子B,其含量在交联聚合物的0.5重量%以下。该透明导电性叠层体用于透明触摸面板的透明电极基板。
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公开(公告)号:CN1509231A
公开(公告)日:2004-06-30
申请号:CN02803118.0
申请日:2002-09-03
Applicant: 帝人株式会社
CPC classification number: G02B1/116 , B32B7/02 , B32B27/06 , B32B27/18 , G02B5/286 , G02B5/287 , G06F3/045 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/258 , Y10T428/259
Abstract: 在有机高分子膜的至少一个面上依次叠层光学干涉层,透明导电层,光学干涉层由高折射率层和低折射率层构成、且低折射率层与透明导电层连接,光学干涉层由交联聚合物构成的透明导电性叠层体中,前述光学干涉层含有由金属氧化物及/或金属氟化物构成的一次粒径在100nm以下的超微粒子A、以及/或者,在高折射率层和低折射率层的至少其中之一内含有平均一次粒径在光学干涉层的膜厚1.1倍以上、并且在1.2μm以下的微粒子B,其含量在交联聚合物的0.5重量%以下。该透明导电性叠层体用于透明触摸面板的透明电极基板。
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