公开(公告)号：CN1329762A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN99814262.X

申请日：1999-12-09

Applicant: 帕拉泰克微波公司

Inventor： 路易斯·C·森古塔 ,  斯蒂文·C·斯托维尔 ,  朱永飞 ,  桑姆纳斯·森古塔 ,  邱路娜(音译) ,  张虚白

IPC: H01P1/20

CPC classification number: H01P1/20

Abstract: 本发明提供一种电压调谐滤波器,包括一输入连接点、输出连接点和至少一个与输入连接点和输出连接点电连接的电路支路,还包括与一电感器电连接的电压调谐的介质变抗器。该电压调谐滤波器可以是低通、高通、带通或带阻滤波器的一种。变抗器可以包括内装隔直流电容器。

公开(公告)号：CN1373916A

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN00812825.1

申请日：2000-09-13

Applicant: 帕拉泰克微波公司

Inventor： 朱永飞 ,  路易丝·C·森古帕塔 ,  安德瑞·科兹瑞夫 ,  张旭佰

IPC: H01Q3/36 ,  H01Q21/06 ,  H01P1/18

CPC classification number: H01Q3/36 ,  H01P1/181 ,  H01Q21/0075 ,  H01Q21/065

Abstract: 一种相控阵天线,包括:多个辐射元件;一个馈电线组件;一个接地平面,定位在多个辐射元件与馈电线组件之间,接地平面带有定位在多个辐射元件与馈电线组件之间的多个开口;及多个电压可调谐介电移相器,耦合到馈电线组件上。

公开(公告)号：CN1326600A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN99813274.8

申请日：1999-10-15

Applicant: 帕拉泰克微波公司

Inventor： 路易斯·森古塔 ,  史蒂文·斯特沃尔 ,  朱永飞 ,  瑟纳斯·森古塔 ,  鲁纳·H·丘 ,  张虚白

IPC: H01P3/00 ,  H01P3/06 ,  H01P3/08 ,  H01P3/12 ,  H01P7/06 ,  H01P1/18

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01P1/181 ,  H01P3/003 ,  H01P3/06 ,  H01P3/081 ,  H01P3/088 ,  H01P3/122 ,  H01P7/06 ,  H01Q3/44 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/037 ,  H05K2203/105 ,  H05K2203/171

Abstract: 一种可调谐介电结构,包括:一个第一介电材料层;一个第二介电材料层,相邻第一介电材料层定位,第二介电材料层具有比第一介电材料层的介电常数小的介电常数;及诸电极,用来跨过第一介电材料施加一个可控制电压的,由此控制第一介电材料的介电常数,其中至少一个电极定位在第一与第二介电材料层之间。介电材料能以各种形状形成,并且彼此相对以各种方位装配。该可调谐介电结构用在各种器件中,包括同轴电缆、空腔天线、微波传输带线、共面线、及波导管。

公开(公告)号：CN1325552A

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN99813104.0

申请日：1999-11-04

Applicant: 帕拉泰克微波公司

Inventor： 路易丝·C·森格普塔 ,  史蒂文·C·斯托尔 ,  朱永飞 ,  萨默那斯·森格普塔

IPC: H01P1/18

CPC classification number: H01P1/181

Abstract: 一种电压可调节介电可变电抗器,包括一个可调节铁电层和第一与第二不可调节介电层。相邻可调节铁电层设置的第一和第二电极形成一个可调节电容器。一个第三电极相邻第一不可调节介电层设置,从而第三和第一电极及第一不可调节介电层形成一个第一阻塞电容器。一个第四电极相邻第二不可调节介电层设置,从而第四和第二电极及第二不可调节介电层形成一个第二阻塞电容器。

公开(公告)号：CN1326599A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN99813275.6

申请日：1999-10-15

Applicant: 帕拉泰克微波公司

Inventor： 路易斯·森古塔 ,  史蒂文·C·斯特沃尔 ,  朱永飞 ,  瑟纳斯·森古塔 ,  鲁纳·H·丘 ,  张虚白 ,  安德雷·克泽勒夫

IPC: H01P1/18

CPC classification number: H01P1/2016 ,  H01P1/181

Abstract: 一种电压可调谐介电变抗器包括:一个基片,具有一个第一介电常数和带有大体平面表面;一个可调谐铁电层,定位在基片的大体平面表面上;及第一和第二电极,定位在相对着基片的大体平面表面的可调谐铁电层的一个表面上。第一和第二电极分离以在其之间形成一个间隙。该变抗器包括一个用来接收一个射频信号的输入和一个用来发送射频信号的输出。施加到电极上的一个偏置电压改变变抗器在其一个输入与一个输出之间的电容。也描述了包括该变抗器的移相器和滤波器。

公开(公告)号：CN1370338A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN00811913.9

申请日：2000-08-22

Applicant: 帕拉泰克微波公司

Inventor： 安德雷·科扎雷弗 ,  路易丝·C·森古皮塔 ,  朱永飞

IPC: H01P1/18

CPC classification number: H01P1/181

Abstract: 一个相移器,该相移器包括一个衬底,其介电常数在70到600之间的一个可调介质薄膜,该介质薄膜的可调节范围在20%到60%之间,其在K和Ka波段的损耗正切在0.008到0.03之间,该可调介质薄膜仅被放置在该衬底的一个表面上,该相移器也包括被放置在可调介质薄膜上、与该衬底相对的一个表面上的一个共面波导,用于将一个无线频率信号耦合到该共面波导的一个输入,用于从该共面波导接收无线频率信号的一个输出,和用于将一个控制电压施加到该可调介质薄膜上的一个连接。一个反射终结共面波导相移器,该相移器包括一个衬底,其介电常数在70到600之间的一个可调介质薄膜,该介质薄膜的可调节范围在20%到60%之间,其在K和Ka波段的损耗正切在0.008到0.03之间,该可调介质薄膜被放置在该衬底的一个表面上,该相移器也包括被放置在可调介质薄膜上、与该衬底相对的一个表面上的第一和第二开路共面波导,用于将一个无线频率信号耦合到该第一和第二共面波导线并且从其中输出一个无线频率信号的一个微带线,和用于将一个控制电压施加到该可调介质薄膜上的一个连接。