提高在基体上薄膜沉积工艺的产率的方法

    公开(公告)号:CN1239738C

    公开(公告)日:2006-02-01

    申请号:CN00807050.4

    申请日:2000-04-11

    IPC分类号: C23C14/56 F04B37/04

    CPC分类号: C23C14/564 F04B37/04

    摘要: 公开一种当无基体处理并且当处理室内的反应性气体压力低于约10-3毫巴时,通过采用在处理室内已存在的用于操纵和加热制备基体的步骤和设备,将活化的吸气装置与处理室的气氛接触,来提高在基体上沉积薄膜过程的产率的方法。该方法在按照包括在打开处理室和开始制备过程之间的操作步骤(1;2;3;4)顺序应用时尤其有用。也对适合用于所述方法的吸气装置(50;60;70)进行了介绍。

    用于薄膜沉积的方法和吸气装置

    公开(公告)号:CN1349565A

    公开(公告)日:2002-05-15

    申请号:CN00807050.4

    申请日:2000-04-11

    IPC分类号: C23C14/56 F04B37/04

    CPC分类号: C23C14/564 F04B37/04

    摘要: 公开一种当无基体处理并且当处理室内的反应性气体压力低于约10-3毫巴时,通过采用在处理室内已存在的用于操纵和加热制备基体的步骤和设备,将活化的吸气装置与处理室的气氛接触,来提高在基体上沉积薄膜过程的产率的方法。该方法在按照包括在打开处理室和开始制备过程之间的操作步骤(1;2;3;4)顺序应用时尤其有用。也对适合用于所述方法的吸气装置(50;60;70)进行了介绍。