一种正交离子源装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104733280A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510172131.2

    申请日:2015-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种正交离子源装置,包括三维离子化室和位于其外部的离子透镜组;三维离子化室包括离子排斥极、热电子发射灯丝、电子接收阱、直接进样管和样品加热钨丝;离子透镜组包括离子引出极、离子聚焦极、离子加速极和离子出口;在离子化室X轴方向,离子排斥极、样品加热钨丝和离子透镜组在同一直线上;在离子化室Y轴方向,热电子发射灯丝、电子接收阱正对;在离子化室Z轴方向,进样管和加热钨丝正对。本发明装置实现对液态样品直接进样,加热钨丝对吸附样品加热的同时进行电子轰击,通过控制加热钨丝电流,降低背景干扰。本发明的离子化方式产生的主要是单电荷离子,能量发散少,谱线简单,适用于难挥发的水体中金属元素的快速离子化。

    一种正交离子源装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104733280B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510172131.2

    申请日:2015-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种正交离子源装置,包括三维离子化室和位于其外部的离子透镜组;三维离子化室包括离子排斥极、热电子发射灯丝、电子接收阱、直接进样管和样品加热钨丝;离子透镜组包括离子引出极、离子聚焦极、离子加速极和离子出口;在离子化室X轴方向,离子排斥极、样品加热钨丝和离子透镜组在同一直线上;在离子化室Y轴方向,热电子发射灯丝、电子接收阱正对;在离子化室Z轴方向,进样管和加热钨丝正对。本发明装置实现对液态样品直接进样,加热钨丝对吸附样品加热的同时进行电子轰击,通过控制加热钨丝电流,降低背景干扰。本发明的离子化方式产生的主要是单电荷离子,能量发散少,谱线简单,适用于难挥发的水体中金属元素的快速离子化。

    一种正交离子源装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204441246U

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201520220657.9

    申请日:2015-04-13

    Abstract: 本实用新型公开了一种正交离子源装置,包括三维离子化室和位于其外部的离子透镜组;三维离子化室包括离子排斥极、热电子发射灯丝、电子接收阱、直接进样管和样品加热钨丝;离子透镜组包括离子引出极、离子聚焦极、离子加速极和离子出口;在离子化室X轴方向,离子排斥极、样品加热钨丝和离子透镜组在同一直线上;在离子化室Y轴方向,热电子发射灯丝、电子接收阱正对;在离子化室Z轴方向,进样管和加热钨丝正对。本实用新型装置实现对液态样品直接进样,加热钨丝对吸附样品加热的同时进行电子轰击,通过控制加热钨丝电流,降低背景干扰。

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