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公开(公告)号:CN118834069A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202411332049.7
申请日:2024-09-24
Applicant: 山东理工大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于陶瓷复合材料技术领域,具体涉及W2B5/C复合材料及其制备方法。包括以下步骤:(1)将反应碳、碳化钨、碳化硼和球磨分散剂混合,球磨,烘干,得到复合粉体;(2)将复合粉体放入石墨模具中,热压反应烧结,即得W2B5/C复合材料;其中W2B5的含量占W2B5/C复合材料总量的10~30vol.%;所述的反应碳为煅后石油焦或鳞片石墨。本发明采用热压反应烧结工艺,将碳材料和W2B5结合,所制得的W2B5/C复合材料兼有碳和陶瓷的双重优点,其耐磨性、抗氧化性以及力学性能远优于碳材料,并具有高的导电性、耐热性和耐热冲击性能,能够应用到更为广泛的领域。
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公开(公告)号:CN118559039A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410852299.7
申请日:2024-06-28
Applicant: 山东理工大学
Abstract: 本发明属于梯度材料制备技术领域,具体涉及基于SLM技术制备IN718/316L水平梯度材料的方法。包括以下步骤:(1)建模;(2)设置工艺参数;(3)控制IN718和316L的下粉量,铺粉,形成混合粉末层;混合粉末层中IN718的含量从左至右由100wt.%递降至0wt.%,316L的含量从左至右由0wt.%递增至100wt.%;(4)向成形舱内充入保护气体,进行激光扫描打印;(5)逐层打印,即得IN718/316L水平梯度材料;所述的方法实现了材料成分在水平方向的梯度分布,得到高致密度、低粗糙度的IN718/316L双金属水平梯度过渡材料,拓展了IN718/316L水平梯度材料的应用范围。
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公开(公告)号:CN118307312A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410738572.3
申请日:2024-06-07
Applicant: 山东理工大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/622 , C04B38/00 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种氧化锆改善漂珠基轻质隔热材料的制备方法,本发明属于轻质隔热材料制备技术领域;二氧化硅漂珠具有中空结构,具有较低的密度以及热导率,在轻质隔热领域具有良好的应用前景;作为添加剂的二氧化锆具有高的折射率,可作为遮光剂掩蔽红外光,减少材料的辐射传热,进一步提高材料的隔热性能;将二氧化硅漂珠和二氧化锆混合,再加入相应分散剂、粘度改性剂和去离子水,配制出具有合适粘度的浆料,使用直写式3D打印机打印出各种形状的隔热材料坯体,通过烧结得到二氧化硅漂珠基的轻质隔热材料;并且3D打印技术的应用可实现复杂部件的快速构建,对材料的实际使用具有重要意义。
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公开(公告)号:CN115521157A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202211396500.2
申请日:2022-11-09
Applicant: 山东理工大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于陶瓷基复合材料的增材制造制备领域,尤其涉及一种SiC晶须强韧化的先驱体陶瓷基复合材料及其制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)将有机硅先驱体、丙烯酸酯单体、光引发剂配制成先驱体光敏树脂;(2)向先驱体光敏树脂中加入SiC晶须及分散剂制得SiC晶须分散均匀且稳定的料浆;(3)采用光固化技术制备复杂陶瓷坯体;(4)将得到的陶瓷坯体热解处理得到SiC晶须强韧化的先驱体陶瓷基复合材料。本发明工艺简单,制备成本低,采用SiC晶须达到先驱体陶瓷的增强增韧效果,有效提升了增材制造先驱体陶瓷的力学性能,拓展了增材制造先驱体陶瓷基复合材料的工业化应用领域。
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公开(公告)号:CN118878303A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411358104.X
申请日:2024-09-27
Applicant: 山东理工大学
Abstract: 本发明属于石英复合材料技术领域,具体涉及表面具有PyC涂层的石英复合材料及其制备方法。包括以下步骤:(1)将石英纤维浸泡热处理后得到石英纤维预制体;(2)配制聚酰亚胺溶液;(3)将石英纤维预制体与聚酰亚胺溶液混合后进行真空浸渍与升温保温;(4)然后浸入硅溶胶中,经真空浸渍与保温静置后形成凝胶,凝胶干燥烧结后循环真空浸渍至密度不再增加,即得表面具有PyC涂层的石英复合材料。通过PIP工艺在石英纤维表面构建了PyC涂层,有效提升了石英复合材料力学性能,增强了耐用性和可靠性。此外,该石英复合材料在x波段展现出优异的透波性能,介电常数稳定,损耗极低,为飞机雷达及天线罩材料的制备提供了重要思路。
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公开(公告)号:CN118373670A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410815191.0
申请日:2024-06-24
Applicant: 山东理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/634 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 本发明属于氧化物增材制造技术领域,具体涉及免除脱脂处理的光固化3D打印氧化铝陶瓷的制备方法。包括以下步骤:将活性稀释剂单体、光引发剂与硅烷偶联剂或含光固化基团的有机硅先驱体的一种以上混合;然后加入分散剂和氧化铝陶瓷粉末,得到氧化铝陶瓷浆料;将得到的氧化铝陶瓷浆料利用光固化3D打印设备打印成坯体,经干燥、烧结即得免除脱脂处理的光固化3D打印氧化铝陶瓷。所述的制备方法通过采用硅烷偶联剂或含光固化基团的有机硅先驱体作为光固化交联剂,不仅成功免除了脱脂处理过程,简化了制备流程,还提高了陶瓷的物理性能,包括强度和稳定性,同时保持浆料的低粘度,提高了其固含量,实现了氧化铝陶瓷的高效、低成本制备。
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公开(公告)号:CN118084512A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410523783.5
申请日:2024-04-29
Applicant: 山东理工大学
IPC: C04B35/632 , C04B35/589 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/645 , B33Y70/00
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域,具体涉及可光固化氮化硅陶瓷浆料的制备方法与应用。所述的制备方法包括以下步骤:(1)称取改性剂和聚硅氮烷混合搅拌,反应,制得i‑PSZ,改性剂的加入量为聚硅氮烷总量的5~25wt.%;(2)待i‑PSZ冷却至室温后,加入光引发剂和色素,室温条件下再次混合搅拌,即得可光固化氮化硅陶瓷浆料。该制备方法在保证产品性能的同时,不仅简化了制备流程,提高了生产效率,还降低了生产成本和环境污染;所制得的氮化硅陶瓷3D打印成型效果好,形状自由度高。
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公开(公告)号:CN111579515A
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN202010451728.1
申请日:2020-05-26
Applicant: 山东理工大学
IPC: G01N21/33 , G01N21/78 , G01N23/207 , G01N31/10 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种以纳米二氧化铈为模拟氧化酶氧化TMB(3,3',5,5'-四甲基联苯胺)的方法,包括以四水硫酸铈、聚乙烯吡咯烷酮和氢氧化钠为原料,室温下制备所得;所述纳米二氧化铈为催化剂,在一定pH范围内直接催化氧气氧化TMB为蓝绿色物质,是一种可以替代天然酶的TMB催化氧化方法。该方法属于模拟酶催化氧化技术领域,所述的纳米二氧化铈模拟氧化酶具有合成步骤简单、合成成本低、pH响应迅速、氧化效果显著等优点,在生物催化氧化、医学免疫检测等领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号:CN119774558B
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202510286035.4
申请日:2025-03-12
Applicant: 山东理工大学
IPC: C01B21/068 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及氮化硅纳米线及其制备方法。包括以下步骤:(1)将乙烯基聚硅氮烷与丙烯酸2‑异氰基乙酯混合,在真空条件下进行搅拌反应,得到A‑PSZ;(2)将A‑PSZ放入真空干燥箱中进行热固化处理,得到固化A‑PSZ;(3)将固化A‑PSZ放入管式炉中,通入N2进行热解反应;(4)将热解反应后的样品取出,收集样品表面生成的产物,并依次进行酸洗和碱洗处理,最终得到氮化硅纳米线。所述的方法,以丙烯酸酯改性聚硅氮烷为原料,通过先驱体热解与碳热还原结合,所制得的氮化硅纳米线纯度高且形貌均匀,同时在制备过程中无需使用催化剂及有毒有害氮源,绿色环保、适用于大规模工业生产。
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公开(公告)号:CN119528574A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202510103910.0
申请日:2025-01-23
Applicant: 山东理工大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于陶瓷基复合材料技术领域,具体涉及SiC‑W2B5/C复合材料及其制备方法。包括以下步骤:(1)将碳化钨、碳化硼、煅后石油焦、硅粉和球磨分散剂混合,置于球磨机内进行球磨,球磨后烘干过筛,得到原料粉体;(2)将原料粉体放入石墨模具中,在烧结炉内进行热压反应烧结,即得SiC‑W2B5/C复合材料;其中,SiC的含量占SiC‑W2B5/C复合材料总量的5~30vol.%。本发明利用Si粉与C相反应生成SiC,在烧结过程中Si不仅能够作为高温液相,降低烧结温度,提高复合材料的致密度,同时,反应生成的SiC相增强了界面结合力,进而提高了复合材料的力学性能。
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