一种基于He离子辐照的石榴石晶体薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109468683A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811552607.5

    申请日:2018-12-19

    Inventor: 赵金花 付刚 李爽

    Abstract: 一种基于He离子辐照的石榴石晶体薄膜的制备方法,包括:a)计算得到He离子的能量和剂量;b)按计算得到He离子的能量和剂量对石榴石晶体进行辐照,损伤层将石榴石晶体分割成上端的表面层和下端的衬底层;c)将辐射后的石榴石晶体与衬底材料清洗干净;d)将石榴石晶体的衬底层与衬底材料固定并相互挤压在一起;e)将固定的石榴石晶体与衬底材料进行退火处理得到石榴石晶体薄膜。利用He离子辐照结合bonding技术制成的石榴石晶体薄膜,其质量高,同时实现了衬底材料的自由选择。

    一种掺铒氮化锌薄膜光波导及制备方法

    公开(公告)号:CN104007510A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410246159.1

    申请日:2014-06-05

    Abstract: 本发明涉及一种半导体材料光波导的制备方法,尤其涉及一种掺铒氮化锌薄膜光波导及制备方法。本发明首次在氮化锌这种新型半导体材料薄膜层尝试进行铒离子掺杂,并证明离子辐照技术制备掺铒氮化锌光波导是可行的,为氮化锌光波导的发展前景提供了一个巨大的推力。本发明进行铒离子辐照氮化锌薄膜过程中辐照能量300-600KeV,注入剂量1014-1016ions/cm2,束流密度0.3-0.8μA/cm2;氮化锌薄膜表面法线方向与入射离子束方向的夹角为7°;掺铒氮化锌薄膜样品用氮化炉内在氮气中进行退火处理。所制得掺铒氮化锌光波导中无氧化锌混入,纯度高。铒离子分布成高斯分布,最大浓度集中在薄膜中部,发光效率明显提高,荧光强度增益4%-15%。

    一种调控SiC基外延石墨烯电子带隙的方法

    公开(公告)号:CN105088350A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510503823.0

    申请日:2015-08-17

    Abstract: 一种调控SiC基外延石墨烯电子带隙的方法,包括如下步骤:a)通过SRIM软件计算辐照离子在SiC晶体中产生的损伤分布、电子能量损失和核能量损失分布,计算缺陷石墨烯的能带结构;b)用离子束对SiC基外延石墨烯样品进行辐照,形成带有缺陷结构的外延石墨烯;c)分别采用金相显微镜观察石墨烯辐照前后的金相结构以及通过扫描电子显微镜观察石墨烯辐照前后表面褶皱变化;d)测通过公式 计算不同辐照条件下的石墨烯样品的晶格缺陷量;e)用红外光谱测试外延石墨烯中的带隙,实现调控带隙的目的。用离子辐照方法使石墨烯中产生可控的缺陷结构,进而调控石墨烯的电子带隙,克服了传统工艺可控性及重复性差的特点。

    一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法

    公开(公告)号:CN103472533B

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201310442302.X

    申请日:2013-09-26

    Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法,依次包括晶体抛光清洗、注入氧离子、退火、注入铒离子、退火的步骤最终得到掺铒碳化硅波导。通过将SOI半导体工艺应用于制备掺铒碳化硅光波导的二氧化硅下包层的过程,生成一层进化学计量比的二氧化硅埋层,与掺铒碳化硅波导芯层之间的折射率差值较大。在掺铒碳化硅波导芯层中,铒离子浓度呈高斯分布,掺铒碳化硅波导芯层中间部分的铒离子浓度最高,有效增强铒离子的荧光发光效率,提高光增益。通过调整注入能量和注入剂量可以实现精确控制注入铒离子的深度和浓度,可以避免由于注入的铒离子浓度过低导致的波导增益低以及过高导致的铒离子浓度猝灭效应。

    一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法

    公开(公告)号:CN103472533A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310442302.X

    申请日:2013-09-26

    Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法,依次包括晶体抛光清洗、注入氧离子、退火、注入铒离子、退火的步骤最终得到掺铒碳化硅波导。通过将SOI半导体工艺应用于制备掺铒碳化硅光波导的二氧化硅下包层的过程,生成一层进化学计量比的二氧化硅埋层,与掺铒碳化硅波导芯层之间的折射率差值较大。在掺铒碳化硅波导芯层中,铒离子浓度呈高斯分布,掺铒碳化硅波导芯层中间部分的铒离子浓度最高,有效增强铒离子的荧光发光效率,提高光增益。通过调整注入能量和注入剂量可以实现精确控制注入铒离子的深度和浓度,可以避免由于注入的铒离子浓度过低导致的波导增益低以及过高导致的铒离子浓度猝灭效应。

    一种可模式识别的自动伸缩式保温仔母兔笼

    公开(公告)号:CN108207638A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810055968.2

    申请日:2018-01-20

    Abstract: 本申请提供了一种可模式识别的自动伸缩式保温仔母兔笼,包括外框、内框、挡板一、挡板二、模式识别系统、电机、智能控制中心、控制面板、导轨、卡扣一、卡扣二、支撑轮、抽绳、导轨轮、诱饵一、诱饵二、电热丝、温度传感器、上底板、下底板、透气孔、铰链以及滑槽。内框、外框、导轨、导轨轮、支撑轮和电机的共同作用,可以使所述内框沿导轨进行伸缩,对仔母兔笼空间大小进行调整;上底板、下底板、电热丝和温度传感器的共同作用,可以使所述仔母兔笼达到保温效果;模式识别系统的作用,可以对笼内仔兔进行识别,及时使仔母兔笼进行相应的机械的调整;抽绳、挡板一和挡板二的共同作用,可以将仔母兔分开饲养,减少由于同笼导致患病的几率。

    一种掺铒氮化锌薄膜光波导及制备方法

    公开(公告)号:CN104007510B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201410246159.1

    申请日:2014-06-05

    Abstract: 本发明涉及一种半导体材料光波导的制备方法,尤其涉及一种掺铒氮化锌薄膜光波导及制备方法。本发明首次在氮化锌这种新型半导体材料薄膜层尝试进行铒离子掺杂,并证明离子辐照技术制备掺铒氮化锌光波导是可行的,为氮化锌光波导的发展前景提供了一个巨大的推力。本发明进行铒离子辐照氮化锌薄膜过程中辐照能量300-600KeV,注入剂量1014-1016ions/cm2,束流密度0.3-0.8μA/cm2;氮化锌薄膜表面法线方向与入射离子束方向的夹角为7°;掺铒氮化锌薄膜样品用氮化炉内在氮气中进行退火处理。所制得掺铒氮化锌光波导中无氧化锌混入,纯度高。铒离子分布成高斯分布,最大浓度集中在薄膜中部,发光效率明显提高,荧光强度增益4%-15%。

    白光致三维光子晶体的制备方法及装置

    公开(公告)号:CN105403935A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510866432.5

    申请日:2015-12-02

    Inventor: 杨光 付刚 刘照红

    CPC classification number: G02B1/005

    Abstract: 一种白光致三维光子晶体的制备方法及装置,其利用白炽灯发出的完全非相干白光经准直透镜变换为准平行光后沿X轴方向以及沿Y轴方向将载有暗斑的振幅掩模成像在立方体结构的LiNbO3:Fe晶体上。分别沿X轴和Y轴方向在LiNbO3:Fe晶体内写出两组相互垂直的二维光子晶体,上述两组相互垂直的二维光子晶体叠加形成三维光子晶体。本发明方法简单,成本低,所得到的光子晶体存储时间长。

    一种可模式识别的自动伸缩式保温仔母兔笼

    公开(公告)号:CN207969512U

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201820094656.8

    申请日:2018-01-20

    Abstract: 本申请提供了一种可模式识别的自动伸缩式保温仔母兔笼,包括外框、内框、挡板一、挡板二、模式识别系统、电机、智能控制中心、控制面板、导轨、卡扣一、卡扣二、支撑轮、抽绳、导轨轮、诱饵一、诱饵二、电热丝、温度传感器、上底板、下底板、透气孔、铰链以及滑槽。内框、外框、导轨、导轨轮、支撑轮和电机的共同作用,可以使所述内框沿导轨进行伸缩,对仔母兔笼空间大小进行调整;上底板、下底板、电热丝和温度传感器的共同作用,可以使所述仔母兔笼达到保温效果;模式识别系统的作用,可以对笼内仔兔进行识别,及时使仔母兔笼进行相应的机械的调整;抽绳、挡板一和挡板二的共同作用,可以将仔母兔分开饲养,减少由于同笼导致患病的几率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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