公开(公告)号：CN1458982A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN01815777.7

申请日：2001-09-20

Applicant: 尼吉康株式会社 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 加藤太郎 ,  小山彰 ,  赤尾昌人 ,  藤平忠雄 ,  山井智明 ,  张进

IPC: C22C21/00 ,  H01G9/045

CPC classification number: H01G9/045 ,  B21B1/40 ,  B21B45/004 ,  B21B2003/001 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  Y10T29/417

Abstract: 本发明的电解电容器电极用铝材料，在化学组成中，Al纯度：99.9％或以上、在含有Si：2～50ppm、Fe：2～50ppm、Cu：15～150ppm、Zn：1～80ppm和Pb：0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。另外，在上述组成中，可以选择地添加1～30ppm的Ti、总计1～50ppm的Mn组元素(Mn、Ga、Mg、Ca中的一种或以上)、总计1～30ppm的In组元素(In、Sn、Sb中的一种或以上)。本发明的电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制上述化学组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。

公开(公告)号：CN1269981C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN01815777.7

申请日：2001-09-20

Applicant: 尼吉康株式会社 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 加藤太郎 ,  小山彰 ,  赤尾昌人 ,  藤平忠雄 ,  山井智明 ,  张进

IPC: C22C21/00 ,  H01G9/045

CPC classification number: H01G9/045 ,  B21B1/40 ,  B21B45/004 ,  B21B2003/001 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  Y10T29/417

Abstract: 本发明的电解电容器电极用铝材料，在化学组成中，Al纯度：99.9%或以上、在含有Si：2～50ppm、Fe：2～50ppm、Cu：15～150ppm、Zn：1～80ppm和Pb：0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。另外，在上述组成中，可以选择地添加1～30ppm的Ti、总计1～50ppm的Mn组元素(Mn、Ga、Mg、Ca中的一种或以上)、总计1～30ppm的In组元素(In、Sn、Sb中的一种或以上)。本发明的电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制上述化学组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。

公开(公告)号：CN1083396C

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN95197920.5

申请日：1995-07-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 新宫秀夫 ,  石原庆一 ,  藤原弘康 ,  大冢良达 ,  张进

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明的目的是提供一种能廉价地制造太阳能电池级的高纯度硅的方法，以及廉价地供给太阳能电池用硅。(a)把粗制硅与硅酸钙在1544℃以上的温度下熔融混合，使硅中的硼迁移到熔渣中；(b)在惰性气体气氛中静置工序(a)所得的混合液，使下层的熔渣层与上层的熔融硅层分离，然后把温度设定到1410℃～1544℃之间，使熔渣凝固的同时把硅保持在熔融状态；(c)在惰性气体气氛下，把冷却体2浸渍到工序(b)所得的熔融硅中，使高纯化的硅在冷却体外表面结晶析出粘附，然后从熔融硅中拉制该冷却体2并把结晶的高纯度硅块S从冷却体2拆下；(d)再熔融工序(c)所得的高纯度硅，然后真空处理熔融硅从而蒸发脱除高纯度硅中的磷。