层状有机硅酸及其制造方法

    公开(公告)号:CN1860080A

    公开(公告)日:2006-11-08

    申请号:CN200480028436.6

    申请日:2004-09-29

    Inventor: 高桥俊

    CPC classification number: B01J20/10 B01J20/283 C01B33/44

    Abstract: 本发明提供一种能够提高对醇的吸附能力,同时能够分离一般的有机化合物的层状有机硅酸和层状有机硅酸的制造方法。在层状聚硅酸上结合有取代的甲硅烷基的层状有机硅酸中,取代的甲硅烷基具有烷基,烷基具有结合在烷基末端的选自氨基、环氧乙基、环氧乙基氧基、乙烯基、异丙烯基、1-苯基乙烯基、4-乙烯基苯基、异氰酸酯基和羟基中的取代基。层状有机硅酸是用硅烷化合物将层状聚硅酸盐进行甲硅烷基化而得到的。

    中孔二氧化硅及其制备方法

    公开(公告)号:CN101272987A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200680029447.5

    申请日:2006-08-11

    Abstract: 本发明的目的在于提供使用表面活性剂缔合物结构作为模板、在无电解质的条件下制备中孔二氧化硅的方法,进一步提供以往无法得到的新形状的中孔二氧化硅。使用非离子表面活性剂和特定结构的水溶性硅酸酯单体,在中性条件下反应,由此可以在无电解质的条件下制备中孔二氧化硅。并且,在溶解于水时使用在适当的温度范围和浓度范围内可以形成带状相或向列相的非离子表面活性剂,可以制备片状的中孔二氧化硅。

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