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公开(公告)号：CN101074293A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710128083.2
申请日：2007-07-09
Applicant: 尤尼吉可株式会社 , 尤尼吉可宇治制造株式会社
Inventor： 木原澄人
Abstract: 本发明提供表面改性的聚酰胺薄膜及其制造方法。所述方法在进行聚酰胺薄膜的表面改性时，可以简便、难以产生静电障碍、且没有微小的处理斑地对薄膜整体进行均匀的电晕放电处理。所述聚酰胺薄膜在其宽度方向以10cm间隔取测定点，以前述测定点为中心，在聚酰胺薄膜的宽度方向以2mm间隔、用10点的测定点测定聚酰胺薄膜的相对于水的接触角，将此时的最大值设定为θ1max，将最小值设定为θ1min，将平均值设定为θ1av，而且，当将全部的测定点中的θ1av的最大值设定为θ2max、将最小值设定为θ2min时，在全部的测定点中满足下面的(式1)及(式2)，并且，满足下面的(式3)。θ1max－θ1min≤5deg. (式1)；45deg.≤θ1av≤55deg. (式2)；θ2max－θ2min≤5deg. (式3)
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公开(公告)号：CN113825621B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202080036399.2
申请日：2020-05-13
Applicant: 尤尼吉可株式会社
Abstract: 一种半芳香族聚酰胺膜，其特征在于，在250℃×5分钟条件下测定的膜的长边方向的热收缩率SMD和宽度方向的热收缩率STD分别为－1.0～1.5％，长边方向和宽度方向的拉伸断裂伸长率分别为70％以上，雾度为14％以下。
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公开(公告)号：CN109790310A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060278.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 尤尼吉可株式会社
CPC classification number: B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/00 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/36 , B32B2264/0214 , B32B2264/0235 , B32B2264/025 , B32B2307/4026 , B32B2307/408 , B32B2307/409 , B32B2307/724 , B32B2307/746 , B32B2307/748 , C08J5/18 , C08L67/02 , C08L101/00
Abstract: 本发明提供一种聚酯膜，其特征在于，是至少一面由聚酯膜层A构成的聚酯膜，构成聚酯膜层A的聚酯树脂的特性粘度为0.63～0.86dl/g，聚酯膜层A含有有机粒子，聚酯膜层A的表面的粗糙度曲线的算术平均粗糙度(Ra)为0.2～1.0μm，粗糙度曲线要素的平均长度(RSm)为10～250μm。
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公开(公告)号：CN113825621A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080036399.2
申请日：2020-05-13
Applicant: 尤尼吉可株式会社
Abstract: 一种半芳香族聚酰胺膜，其特征在于，在250℃×5分钟条件下测定的膜的长边方向的热收缩率SMD和宽度方向的热收缩率STD分别为－1.0～1.5％，长边方向和宽度方向的拉伸断裂伸长率分别为70％以上，雾度为14％以下。
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公开(公告)号：CN101074293B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200710128083.2
申请日：2007-07-09
Applicant: 尤尼吉可株式会社 , 尤尼吉可宇治制造株式会社
Inventor： 木原澄人
Abstract: 本发明提供表面改性的聚酰胺薄膜及其制造方法。所述方法在进行聚酰胺薄膜的表面改性时，可以简便、难以产生静电障碍、且没有微小的处理斑地对薄膜整体进行均匀的电晕放电处理。所述聚酰胺薄膜在其宽度方向以10cm间隔取测定点，以前述测定点为中心，在聚酰胺薄膜的宽度方向以2mm间隔、用10点的测定点测定聚酰胺薄膜的相对于水的接触角，将此时的最大值设定为θ1max，将最小值设定为θ1min，将平均值设定为θ1av，而且，当将全部的测定点中的θ1av的最大值设定为θ2max、将最小值设定为θ2min时，在全部的测定点中满足下面的(式1)及(式2)，并且，满足下面的(式3)。θ1max-θ1min≤5deg. (式1)45deg.≤θ1av≤55deg. (式2)θ2max-θ2min≤5deg. (式3)
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