公开(公告)号：CN107709979A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038272.8

申请日：2016-06-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 原田直树 ,  佐藤信太郎 ,  林贤二郎 ,  山口淳一

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明涉及一种气体传感器及其使用方法，该气体传感器包含有：半导体层(101～103)；石墨烯膜(105)，设置于半导体层(101～103)上方且至少一部分与气体接触；以及半导体层(101～103)与石墨烯膜(105)之间的阻挡膜(104)。

公开(公告)号：CN103109372B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201080068488.1

申请日：2010-08-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 林贤二郎 ,  佐藤信太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/66431 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0558

Abstract: 在基板（1）上方形成催化剂膜（2）。在催化剂膜（2）上生长石墨烯（3）。形成露出催化剂膜（2）的下表面的间隙。介由间隙，除去催化剂膜（2）。

公开(公告)号：CN103109372A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201080068488.1

申请日：2010-08-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 林贤二郎 ,  佐藤信太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/66431 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0558

Abstract: 在基板（1）上方形成催化剂膜（2）。在催化剂膜（2）上生长石墨烯（3）。形成露出催化剂膜（2）的下表面的间隙。介由间隙，除去催化剂膜（2）。

公开(公告)号：CN107709979B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201680038272.8

申请日：2016-06-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 原田直树 ,  佐藤信太郎 ,  林贤二郎 ,  山口淳一

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明涉及一种气体传感器及其使用方法，该气体传感器包含有：半导体层(101～103)；石墨烯膜(105)，设置于半导体层(101～103)上方且至少一部分与气体接触；以及半导体层(101～103)与石墨烯膜(105)之间的阻挡膜(104)。