公开(公告)号：CN112771020B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201980063193.6

申请日：2019-09-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 渡边徹 ,  伊藤孝之 ,  吉田有次 ,  吉田爱子 ,  高桥庆太

IPC: C07C67/10 ,  C07C67/11 ,  C07C69/753

Abstract: 本发明的课题在于提供一种回收以未反应的原料或杂质的形式存在的多环二羧酸，并将其在单酯化反应中进行利用的多环二羧酸单酯的制造方法。本发明的二羧酸单酯的制造方法为具有从二羧酸得到二羧酸单酯的单酯化反应工序的二羧酸单酯的制造方法，其中，回收以未反应的原料的形式残留的二羧酸，并将其在单酯化反应工序中再利用，或者，水解以杂质的形式副产的二羧酸二酯，以二羧酸的形式回收，并将其在单酯化反应工序中再利用。

公开(公告)号：CN116249757A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180063766.2

申请日：2021-08-30

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 吉田有次 ,  渡边徹 ,  吉田爱子 ,  石山淳

IPC: C09K19/34 ,  H10K50/80 ,  H10K59/10 ,  C08F222/24 ,  C08F220/38 ,  C08F220/34 ,  G02B5/30 ,  C09K19/30

Abstract: 本发明的课题为提供一种能够抑制光学各向异性膜中的取向缺陷的产生的液晶组合物、化合物、光学各向异性膜、光学膜、偏振片及图像显示装置。本发明的液晶组合物是含有液晶化合物及下述式(II)所表示的化合物的液晶组合物。

公开(公告)号：CN105358640B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201480037398.4

申请日：2014-06-12

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 津山博昭 ,  渡边徹 ,  早田佑一

IPC: C09D201/00 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/63 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H05K1/09 ,  H05K3/12

CPC classification number: C09D5/24 ,  B22F2003/248 ,  C08K5/053 ,  C08K2003/085 ,  C08K2003/2248 ,  C09D1/00 ,  C09D7/40 ,  C09D7/61 ,  C09D7/63 ,  C09D201/00 ,  C22C29/12 ,  C22C32/0021 ,  C23C18/08 ,  H01B1/22 ,  H05K1/097 ,  H05K2203/1157

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够形成导电性优异且空洞少的导电膜的导电膜形成用组合物以及使用该组合物的导电膜的制造方法。本发明的导电膜形成用组合物含有平均粒径为1nm～10μm的铜颗粒、平均粒径为1nm～500nm的氧化铜颗粒、具有羟基的还原剂、含有铜以外的金属的金属催化剂和溶剂，所述氧化铜颗粒的含量相对于所述铜颗粒的含量为50质量％～300质量％，所述还原剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为100摩尔％～800摩尔％，所述金属催化剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为10质量％以下。

公开(公告)号：CN112771020A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980063193.6

申请日：2019-09-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 渡边徹 ,  伊藤孝之 ,  吉田有次 ,  吉田爱子 ,  高桥庆太

IPC: C07C67/10 ,  C07C67/11 ,  C07C69/753

Abstract: 本发明的课题在于提供一种回收以未反应的原料或杂质的形式存在的多环二羧酸，并将其在单酯化反应中进行利用的多环二羧酸单酯的制造方法。本发明的二羧酸单酯的制造方法为具有从二羧酸得到二羧酸单酯的单酯化反应工序的二羧酸单酯的制造方法，其中，回收以未反应的原料的形式残留的二羧酸，并将其在单酯化反应工序中再利用，或者，水解以杂质的形式副产的二羧酸二酯，以二羧酸的形式回收，并将其在单酯化反应工序中再利用。

公开(公告)号：CN105358640A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480037398.4

申请日：2014-06-12

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 津山博昭 ,  渡边徹 ,  早田佑一

IPC: C09D201/00 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H05K1/09 ,  H05K3/12

CPC classification number: C09D5/24 ,  B22F2003/248 ,  C08K5/053 ,  C08K2003/085 ,  C08K2003/2248 ,  C09D1/00 ,  C09D7/40 ,  C09D7/61 ,  C09D7/63 ,  C09D201/00 ,  C22C29/12 ,  C22C32/0021 ,  C23C18/08 ,  H01B1/22 ,  H05K1/097 ,  H05K2203/1157

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够形成导电性优异且空洞少的导电膜的导电膜形成用组合物以及使用该组合物的导电膜的制造方法。本发明的导电膜形成用组合物含有平均粒径为1nm～10μm的铜颗粒、平均粒径为1nm～500nm的氧化铜颗粒、具有羟基的还原剂、含有铜以外的金属的金属催化剂和溶剂，所述氧化铜颗粒的含量相对于所述铜颗粒的含量为50质量％～300质量％，所述还原剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为100摩尔％～800摩尔％，所述金属催化剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为10质量％以下。