公开(公告)号：CN102214644A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110051644.X

申请日：2011-02-22

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 泷泽聪毅 ,  谷津诚

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H02M7/00

CPC classification number: H01L25/07 ,  H01L23/645 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 对于已知模块而言，由于导线电感的存在，IGBT截止时的峰值电压值比直流电压高出浪涌电压的量，换言之具有高额定电压的元件是必要的。具有高额定电压的芯片导致模块和应用该芯片的设备的尺寸增大以及成本增加。第一IGBT、其阴极连接到第一IGBT发射极的二极管、具有反向阻断电压的第二IGBT容纳于一个封装中，其中第二IGBT的发射极连接到第一IGBT的发射极。

公开(公告)号：CN102214984A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110051651.X

申请日：2011-02-22

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 泷泽聪毅

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/48

CPC classification number: H02M7/487 ,  H02M7/003

Abstract: 当用当前可从市场上买到的半导体模块配置多电平转换系统时，导线电感增大，开关时的浪涌电压增高，半导体芯片和转换系统大，且价格高昂。三个或更多个电平的转换器电路的单相通过组合两种类型的功率半导体模块来配置，这两种类型的功率半导体模块包括反并联地连接有二极管的上臂和下臂IGBT之一以及配置双向开关的元件之一。