公开(公告)号：CN106019887B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201510894817.2

申请日：2015-12-08

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 三浦宏之 ,  森重拓也 ,  山田义晃 ,  星尾拓郎 ,  成田幸介 ,  是永次郎

IPC: G03G15/02

Abstract: 一种充电部件，其包括导电性支持体和设置在所述导电性支持体的表面层，其中所述充电部件的表面上的电子发射能等于或小于10cps0.5/eV。本发明还提供了一种处理盒和成像装置。与表面电子发射能不在上述范围内的情况相比，根据本发明的充电部件抑制了充电不均匀性的发生。

公开(公告)号：CN107168023A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201610804157.9

申请日：2016-09-05

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 森重拓也 ,  星尾拓郎

IPC: G03G15/02 ,  G03G21/18

CPC classification number: G03G15/0233 ,  G03G21/1814 ,  G03G21/1839

Abstract: 本发明公开了一种充电元件，该充电元件包括导电基底以及配置于所述导电基体上的表面层。所述表面层包括含有金属的无机导电剂以及含有能够与所述金属配位的配位原子并具有400以下的分子量的有机导电剂。

公开(公告)号：CN106019887A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510894817.2

申请日：2015-12-08

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 三浦宏之 ,  森重拓也 ,  山田义晃 ,  星尾拓郎 ,  成田幸介 ,  是永次郎

IPC: G03G15/02

CPC classification number: G03G15/0233

Abstract: 一种充电部件，其包括导电性支持体和设置在所述导电性支持体的表面层，其中所述充电部件的表面上的电子发射能等于或小于10cps0.5/eV。本发明还提供了一种处理盒和成像装置。与表面电子发射能不在上述范围内的情况相比，根据本发明的充电部件抑制了充电不均匀性的发生。

公开(公告)号：CN108241267A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201710418235.6

申请日：2017-06-06

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 森重拓也

IPC: G03G15/02 ,  G03G21/18

CPC classification number: G03G15/0216 ,  G03G15/0233 ,  G03G21/1842

Abstract: 本发明涉及充电部件、充电设备、处理盒和图像形成装置。所述充电部件包含支持部件和表层，所述表层提供在所述支持部件上，并且含有非导电性多孔填料颗粒和存在于所述非导电性多孔填料颗粒的孔中的导电性材料。