公开(公告)号：CN102683352A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210061282.7

申请日：2012-03-09

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 三井实

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及硅层转印基板以及半导体基板的制造方法，所述硅层转印基板包括：作为第一基板的硅基板；牺牲层；以及转印至第二基板的转印硅层，其中所述牺牲层具有硅化合物层，所述硅化合物层含有由硅以及选自锗和碳中的至少一种元素构成的化合物，并且所述牺牲层被设置在作为第一基板的硅基板上，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度，所述转印至第二基板的转印硅层被设置在牺牲层上，并且硅基板或者硅层中的至少一者具有与牺牲层相连的沟槽或孔。所述硅层转印基板能够具有几乎不存在缺陷的转印硅层。

公开(公告)号：CN102683352B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210061282.7

申请日：2012-03-09

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 三井实

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及硅层转印基板以及半导体基板的制造方法，所述硅层转印基板包括：作为第一基板的硅基板；牺牲层；以及转印至第二基板的转印硅层，其中所述牺牲层具有硅化合物层，所述硅化合物层含有由硅以及选自锗和碳中的至少一种元素构成的化合物，并且所述牺牲层被设置在作为第一基板的硅基板上，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度，所述转印至第二基板的转印硅层被设置在牺牲层上，并且硅基板或者硅层中的至少一者具有与牺牲层相连的沟槽或孔。所述硅层转印基板能够具有几乎不存在缺陷的转印硅层。

公开(公告)号：CN103092392A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210188880.0

申请日：2012-06-08

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 一星彰 ,  石井努 ,  竹内孝行 ,  佐佐木茂彦 ,  佐藤政宽 ,  友田恭太郎 ,  内藤孝雄 ,  三井实

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/041 ,  G06F3/03545 ,  G06F3/038 ,  G06F3/0418 ,  G06F3/04883 ,  G06F2203/04104

Abstract: 本发明公开了接触检测装置、记录显示装置和接触检测方法。该接触检测装置包括多个检测元件、生成单元和判定单元。多个检测元件在预定接触面上的二维构造中彼此相关，并各自检测物体与接触面的接触。生成单元根据多个检测单元的检测结果生成特征信息，该特征信息代表基于物体与接触面的接触所绘制的轨迹的特征。判定单元判定生成单元所生成的特征信息是否对应于预先登记的特定接触特征信息，该特定接触特征信息代表基于物体与接触面的特定接触所绘制的轨迹的特征。