半导体晶片载体容器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100555596C

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200480036937.9

    申请日:2004-12-08

    CPC classification number: H01L21/67366 H01L21/67386 H01L21/67396

    Abstract: 是由载置半导体晶片载体的容器本体(1)和覆盖该容器本体(1)的盖(2)构成的半导体晶片载体容器,以上述容器本体(1)由包含热塑性树脂(a1)和碳纤维(a2)的树脂组合物(A)模塑而成,该容器本体(1)的表面电阻率是102~1012Ω/□,上述盖由包含热塑性树脂(b1)和是有机化合物的抗静电剂(b2)的树脂组合物(B)进行模塑而成,该盖2的表面电阻率是103~1013Ω/□,而且该盖(2)具有透明性为特征的半导体晶片载体容器,按照该半导体晶片载体容器,能够提供抗静电性优良、污染防止性优良、耐擦伤性优良、而且内部目视性也优良的半导体晶片载体容器。

    半导体晶片载体容器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1890793A

    公开(公告)日:2007-01-03

    申请号:CN200480036937.9

    申请日:2004-12-08

    CPC classification number: H01L21/67366 H01L21/67386 H01L21/67396

    Abstract: 是由载置半导体晶片载体的容器本体(1)和覆盖该容器本体(1)的盖(2)构成的半导体晶片载体容器,以上述容器本体(1)由包含热塑性树脂(a1)和碳纤维(a2)的树脂组合物(A)模塑而成,该容器本体(1)的表面电阻率是102~1012Ω/□,上述盖由包含热塑性树脂(b1)和是有机化合物的抗静电剂(b2)的树脂组合物(B)进行模塑而成,该盖2的表面电阻率是103~1013Ω/□,而且该盖(2)具有透明性为特征的半导体晶片载体容器,按照该半导体晶片载体容器,能够提供抗静电性优良、污染防止性优良、耐擦伤性优良、而且内部目视性也优良的半导体晶片载体容器。

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