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公开(公告)号：CN110400699B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201910659687.2
申请日：2019-07-22
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明提供了一种以泡沫镍为基质，负载NiMoO4纳米线和Ni3S2构建的纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料，本发明所述的纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料应用在超级电容器中，具有优良的导电性、高电容和高功率密度等性能。本发明还提供了所述微、纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)泡沫镍的处理；(2)Ni@NiMoO4纳米线的制备；(3)Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米材料的制备；本发明还提供了上述微、纳米复合材料的应用。
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公开(公告)号：CN110310835A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910447637.8
申请日：2019-05-27
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明提供了一种以NiO纳米片为基质、负载纳米花状NiS@NiCo2S4微、纳米电极材料，本发明所述的纳米花状NiS@NiCo2S4微、纳米电极材料应用在超级电容器中，具有优良的导电性、高电容和高功率密度等性能。本发明还提供了所述微、纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)泡沫镍的处理；(2)NiO纳米片的制备；(3)NiO@NiCo2O4微、纳米材料的制备(4)NiS@NiCo2S4微、纳米材料的制备；本发明还提供了上述微、纳米复合材料的应用。
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公开(公告)号：CN110400699A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910659687.2
申请日：2019-07-22
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明提供了一种以泡沫镍为基质，负载NiMoO4纳米线和Ni3S2构建的纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料，本发明所述的纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料应用在超级电容器中，具有优良的导电性、高电容和高功率密度等性能。本发明还提供了所述微、纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)泡沫镍的处理；(2)Ni@NiMoO4纳米线的制备；(3)Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米材料的制备；本发明还提供了上述微、纳米复合材料的应用。
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公开(公告)号：CN110310835B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910447637.8
申请日：2019-05-27
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明提供了一种以NiO纳米片为基质、负载纳米花状NiS@NiCo2S4微、纳米电极材料，本发明所述的纳米花状NiS@NiCo2S4微、纳米电极材料应用在超级电容器中，具有优良的导电性、高电容和高功率密度等性能。本发明还提供了所述微、纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)泡沫镍的处理；(2)NiO纳米片的制备；(3)NiO@NiCo2O4微、纳米材料的制备(4)NiS@NiCo2S4微、纳米材料的制备；本发明还提供了上述微、纳米复合材料的应用。
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公开(公告)号：CN110400700A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910659692.3
申请日：2019-07-22
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明提供了一种以泡沫镍为基质，通过负载Ni3S2纳米片和NiCo2O4构建的Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米复合材料，本发明所述的Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米电极材料应用在超级电容器中，具有优良的导电性、高电容和高功率密度等性能。本发明还提供了所述微、纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)泡沫镍的处理；(2)Ni@Ni3S2纳米片的制备；(3)Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米材料的制备；本发明还提供了上述微、纳米复合材料的应用。
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