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公开(公告)号:CN118420356A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410544604.6
申请日:2024-04-30
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C04B35/587 , C04B35/626
Abstract: 本申请提供了一种氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷。该氮化硅粉体的制备方法包括在保护性气氛中混合重量比为100:1‑11的液态卤化硅与粒径为50nm‑500nm的硅基助剂,形成混合浆料;将混合浆料引入位于反应器内的液氨的内部,液态卤化硅与液氨在‑50℃至50℃的温度范围内反应得到前驱体粉体;静置、过滤、分离以及溶剂清洗去除副产物,得到固体混合物;在1300℃‑1600℃的温度范围内,在含氮气氛中焙烧固体混合物持续0.5‑5h,得到氮化硅粉体;液态卤化硅与液氨的重量比为1:3‑15,硅基助剂为硅粉或α相含量大于或等于93%的α相氮化硅。本申请的氮化硅粉体形貌均一,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN118125388A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410230849.1
申请日:2024-02-29
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/587 , C04B35/626 , H01L23/14 , C09K5/14 , C09G1/02
Abstract: 本申请提供了一种氮化硅粉体及其制备方法。该方法包括在保护性气氛中混合3wt%‑30wt%的硅粉与70wt%‑97wt%的前驱体粉末,形成粉体混合物;在含氮气氛中焙烧所述粉体混合物,得到所述氮化硅粉体,所述前驱体粉末选自由氨基硅、亚氨基硅以及非晶态氮化硅组成的组。本申请的氮化硅粉体具有结晶度高、粒径分布窄、颗粒形貌规则等特点,在氮化硅陶瓷轴承、集成电路基板、导热胶填料等领域具有广阔的应用前景。
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