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公开(公告)号：CN117352715A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311505289.8
申请日：2023-11-13
Applicant: 安徽工业大学 , 浙江泰科新材料技术有限公司
IPC: H01M4/48 , H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种高容量高首效氧化亚硅基复合负极材料及其制备方法，结合“高能球磨”和“化学还原转化”两种工艺，将商业氧化亚硅粉体与过共晶镁硅合金充分混合后热处理得到以氧化亚硅为基体，基体表面含有硅、硅酸镁和氧化镁多相的复合材料，工艺过程简单、成本低廉，且所得负极材料具有高首次库伦效率以及高容量。
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公开(公告)号：CN117293305A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311505293.4
申请日：2023-11-13
Applicant: 安徽工业大学 , 浙江泰科新材料技术有限公司
IPC: H01M4/48 , H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种高容量高首效硅基负极材料及制备方法，通过硅破碎细化过程中产生的新鲜表面富含不饱和悬挂键与湿磨过程剂作用，在硅表面原位生成二氧化硅(SiO2)非晶覆盖层，实现原位表面反应包覆结构，再采用热处理将表层高价态二氧化硅转为低价态活性硅氧SiOx，实现Si/O比例调控，并得到以内核硅为基，外层为活性SiOx层的“核壳”结构的粉体材料。通过本发明的制备方法得到的硅基负极材料既可以缓解体积膨胀，又可以减少首次充放电过程中材料表面形成固相电解质(SEI)膜对锂离子的消耗，从而提高首次库伦效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104393319A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410662850.8
申请日：2014-11-19
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01M8/10
CPC classification number: Y02E60/525 , H01M8/1016
Abstract: 本发明公开了一种中空球状锗酸镧及其制备方法，属于功能材料制备技术领域。本发明的中空球状锗酸镧中球状结构的直径3μm，中间的孔直径150nm。其制备方法是首先将氧化镧片固定于反应容器内的支架上，然后将硝酸镧、四氯化锗、琥珀酸二异辛基磺酸钠与水混合后置于反应容器内并密封，于温度300～400℃、保温2～6h，最终得到了絮状白色沉积物，即为中空球状锗酸镧。本发明采用的水热沉积方法，具有制备温度低、制备过程简单、耗时短，所得中空球状锗酸镧成本低等特点；同时，本发明制备出的中空球状锗酸镧在固体氧化物燃料电池及吸附剂方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117542999A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311505287.9
申请日：2023-11-13
Applicant: 安徽工业大学 , 浙江泰科新材料技术有限公司
IPC: H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/46
Abstract: 本发明提供一种基于含铝化合物的氧化亚硅基复合负极材料及其制备方法，通过将氧化亚硅与含铝化合物AlM混合并进行热处理，得到含有氧化亚硅、硅、硅酸盐和含铝氧化物的多相氧化亚硅基复合材料；其中，AlM中，M＝N,P,Mn,Fe,Mg,Ti,Ba,Cu中的一种或两种组合。本发明方法的工艺过程简单、成本低廉，且所得负极材料具有高首次库伦效率及高容量。
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公开(公告)号：CN104393319B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410662850.8
申请日：2014-11-19
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01M8/1016
CPC classification number: Y02E60/525
Abstract: 本发明公开了一种中空球状锗酸镧及其制备方法，属于功能材料制备技术领域。本发明的中空球状锗酸镧中球状结构的直径3μm，中间的孔直径150nm。其制备方法是首先将氧化镧片固定于反应容器内的支架上，然后将硝酸镧、四氯化锗、琥珀酸二异辛基磺酸钠与水混合后置于反应容器内并密封，于温度300～400℃、保温2～6h，最终得到了絮状白色沉积物，即为中空球状锗酸镧。本发明采用的水热沉积方法，具有制备温度低、制备过程简单、耗时短，所得中空球状锗酸镧成本低等特点；同时，本发明制备出的中空球状锗酸镧在固体氧化物燃料电池及吸附剂方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103754928A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410009096.8
申请日：2014-01-08
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钒掺杂锗酸盐纳米线的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明以钒酸钠、偏钒酸铵、偏钒酸钠、偏钒酸钾、氧化钒或氯化钒为掺杂源，以氧化锗、乙酸盐为原料，以水为溶剂，将氧化锗、乙酸盐、钒化合物与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于120-180℃、保温0.5-24h，得到絮状钒掺杂锗酸盐纳米线。本发明钒掺杂锗酸盐纳米线具有良好的可见光光催化性能，在工业废水处理及环保自清洁性涂料、自清洁玻璃领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114122355A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111312099.5
申请日：2021-11-08
Applicant: 安徽工业大学 , 南京径祥新材料科技有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525 , C01B33/021 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种提高工业研磨硅首次库伦效率的负极材料制备方法，包括如下步骤：S1、将微米硅与研磨剂按照质量比例研磨，该步骤使用质量比例为微米硅∶研磨剂=（1∶3，1∶4，1∶9，1∶12），研磨时间为5h，转速为额定转速的85%‑95%；S2、加入不同量的可溶于或微溶于研磨剂的改性剂进行研磨，利用改性剂将表面形成的Si‑O键、OH官能团原位转为一层惰性稳定结构；S3、将浆料进行干燥处理，使物料和溶剂分离，最后得到改性的硅粉体负极材料。本发明将微米硅纳米化过程中表面形成的硅氧烷或羟基结构转化成惰性稳定相，实现既可以抑制体积膨胀，又可以减少首次充放电过程中材料表面形成SEI膜对锂离子的消耗，从而提高首次库伦效率的目的。
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