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公开(公告)号:CN118984633A
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202411056959.7
申请日:2024-08-02
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于半导体材料及光电技术领域,具体涉及一种在高湿度空气环境下制备混合溴氯全无机钙钛矿薄膜的方法,该制备是在高湿度空气环境下使用两步旋涂工艺进行,制备的钙钛矿薄膜具有零维‑三维双相结构,化学式为Cs4Pb(Br1‑xClx)6‑CsPb(Br1‑xClx)3,其中0
公开(公告)号:CN118984633A
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202411056959.7
申请日:2024-08-02
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于半导体材料及光电技术领域,具体涉及一种在高湿度空气环境下制备混合溴氯全无机钙钛矿薄膜的方法,该制备是在高湿度空气环境下使用两步旋涂工艺进行,制备的钙钛矿薄膜具有零维‑三维双相结构,化学式为Cs4Pb(Br1‑xClx)6‑CsPb(Br1‑xClx)3,其中0