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公开(公告)号：CN105086912B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510560782.9
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C09J171/08 , C09J183/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09K3/10
Abstract: 本发明公开了一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锶纳米棒65‑80％、聚乙二醇10‑15％、乙撑双硬脂酰胺0.05‑0.5％、三聚丙二醇二缩水甘油醚5‑10％、乳化甲基硅油4‑10％，锡酸锶纳米棒的直径为80nm、长度为1‑2μm。本发明提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105175965A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510560165.9
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸锂纳米棒65-80％、聚乙烯醇8-12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05-0.5％、异丙醇铝4-8％、微晶石蜡4-8％、水3-7％，钼酸锂纳米棒的直径为50-100nm、长度为1-3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105131439A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510560801.8
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
CPC classification number: C08L23/16 , C08L2203/20 , C08L2205/03 , C08L83/04 , C08L71/02 , C08K7/00 , C08K3/24 , C08K5/053
Abstract: 本发明公开了一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸锂纳米棒65-80％、聚丙乙烯10-15％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05-0.5％、三羟甲基丙烷5-10％、硅树脂甲基支链硅油4-10％。本发明提供的复合电子封装材料使用铋酸锂纳米棒作为主要原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105111603A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510560012.4
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸铜纳米棒65-80％、聚丙乙烯5-7％、聚苯乙烯5-7％、烷基聚氧乙烯醚0.05-0.5％、乙酰丙酮钛3-8％、聚乙烯蜡3-7％、水3-6％，钼酸铜纳米棒的直径为25-100nm、长度为0.5-3μm。本发明提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104118912A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410400470.7
申请日：2014-08-14
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钒酸锰纳米带的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明以乙酸锰、偏钒酸铵作为原料，水为溶剂，锰片作为沉积衬底，首先将锰片在蒸馏水内超声清洗，然后将其固定于反应釜内中间的不锈钢支架上，接着将乙酸锰、偏钒酸铵与水混合后置于反应釜内并密封，于温度300-500℃、保温36-48h，最终在锰片表面得到了均匀的絮状褐色沉积物，即为钒酸锰纳米带。本发明制备过程简单、耗时短、成本低，制备出的钒酸锰纳米带在新型超级电容器、锂离子电池及光催化领域具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105037917B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510560001.6
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种铝酸铈纳米棒电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明铝酸铈纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铝酸铈纳米棒65‑80％、聚乙二醇3‑6％、聚丙乙烯3‑6％、木质素磺酸钠0.05‑0.5％、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷3‑8％、乙烯‑四氟乙烯共聚物10‑15％，铝酸铈纳米棒的直径为30‑100nm、长度为1‑2μm。本发明提供的铝酸铈纳米棒电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105175965B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510560165.9
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸锂纳米棒65‑80％、聚乙烯醇8‑12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、异丙醇铝4‑8％、微晶石蜡4‑8％、水3‑7％，钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105131480A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510560812.6
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锑纳米线65-80％、聚乙烯醇3-5％、聚苯乙烯3-5％、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐共聚物0.05-0.5％、异丙醇铝3-6％、聚偏氟乙烯7-14％、水3-5％，锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20-30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105086912A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510560782.9
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C09J171/08 , C09J183/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09K3/10
Abstract: 本发明公开了一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锶纳米棒65-80％、聚乙二醇10-15％、乙撑双硬脂酰胺0.05-0.5％、三聚丙二醇二缩水甘油醚5-10％、乳化甲基硅油4-10％，锡酸锶纳米棒的直径为80nm、长度为1-2μm。本发明提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105037991A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510560804.1
申请日：2015-09-06
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C08L25/06 , C08L23/06 , C08L71/02 , C08K3/24 , C08K5/5415
Abstract: 本发明公开了一种铋酸钡纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明铋酸钡纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸钡纳米棒65-80％、聚苯乙烯10-15％、辛基酚聚氧乙烯醚0.05-0.5％、三甲氧基硅烷5-10％、聚乙烯蜡4-10％。本发明提供的电子封装材料使用铋酸钡纳米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蜡作为原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
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