公开(公告)号：CN118186401A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410312536.0

申请日：2024-03-19

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 王玲玲 ,  王如意 ,  张子龙 ,  武子康 ,  方文郡

IPC: C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/052 ,  C25B11/075 ,  C01G31/00 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明属于光电催化材料技术领域，涉及钒酸铋纳米阵列型光电催化阳极及其制备方法和应用。针对现有技术中钒酸铋光电催化材料制作过程繁琐、大面积成膜不均匀、掺杂困难的技术问题，本申请提供的方法，首先用磁控溅射法在导电基底上制备金属铋层作为制备钒酸铋的铋源，再用化学溶液浸泡法获得制备钒酸铋的钒源，随后用高温氧化法制得钒酸铋纳米材料，最后用化学溶液刻蚀掉钒酸铋纳米材料表面的五氧化二钒，此种制备方法可进行大规模商业生产，且可进行原位掺杂。本申请还提供了钒酸铋纳米阵列型光电催化阳极及其应用，表现出较高的光电催化性能、较高的光活性面积、较高的电荷分离效率和快速且稳定的瞬态光电流响应，可用于水分解光电化学领域。