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公开(公告)号:CN113564499A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110864237.4
申请日:2021-07-29
Applicant: 安徽工业大学科技园有限公司
IPC: C22C49/10 , C22C49/14 , C22C47/06 , C22C47/14 , C22C111/02
Abstract: 本发明涉及金属陶瓷复合材料技术领域,具体涉及一种连续钨纤维及碳化锆复合增强钨铜材料、制备方法及其应用;该复合材料包括如下重量组分的混合料:编织钨网1份;锆铜合金1~20份;钨粉0~10份;碳化钨粉1~10份,该复合材料的平均显微维氏硬度≥4.5GPa,抗弯强度≥520MPa,本发明采用低温反应熔渗法制备连续钨纤维及原位自生碳化锆颗粒复合增强钨铜材料,实现了高强韧钨基复合材料的低成本快速制备,钨纤维及碳化锆颗粒的复合强韧化使材料表现出假塑性断裂行为,该复合材料在航空航天领域、先进高温工具、太阳能热电及核能等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN113299823A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202110553600.0
申请日:2021-05-20
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及信息存储技术技术领域,尤其涉及一种电场可调磁电信息存储器件及其制备方法,该电场可调磁电信息存储器件是由铁磁金属氧化物LSMO、铁电体BTO、半导体氧化物为n型掺杂NSTO组成的电控磁存储器器件。本发明通过优异的制备方法来制备出铁磁和铁电性质薄膜的层状异质结,通过界面处电荷之间有效的耦合,可以增强其多铁特性,实现存储器件开、关的调控,通过外加电场方向进而改变铁电极极化反转方向决定了电阻在开态(低阻态)和关态(高阻态)之间的切换,本发明工艺具有制备工艺简单、非破坏性、高密度、高速率、低能耗、与半导体产业兼容性好等优点,具有良好的信息存储的功能。
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公开(公告)号:CN113564499B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202110864237.4
申请日:2021-07-29
Applicant: 安徽工业大学科技园有限公司
IPC: C22C49/10 , C22C49/14 , C22C47/06 , C22C47/14 , C22C111/02
Abstract: 本发明涉及金属陶瓷复合材料技术领域,具体涉及一种连续钨纤维及碳化锆复合增强钨铜材料、制备方法及其应用;该复合材料包括如下重量组分的混合料:编织钨网1份;锆铜合金1~20份;钨粉0~10份;碳化钨粉1~10份,该复合材料的平均显微维氏硬度≥4.5GPa,抗弯强度≥520MPa,本发明采用低温反应熔渗法制备连续钨纤维及原位自生碳化锆颗粒复合增强钨铜材料,实现了高强韧钨基复合材料的低成本快速制备,钨纤维及碳化锆颗粒的复合强韧化使材料表现出假塑性断裂行为,该复合材料在航空航天领域、先进高温工具、太阳能热电及核能等领域具有广泛的应用前景。
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