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公开(公告)号：CN116555657B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202310503010.6
申请日：2023-05-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于储氢材料技术领域，具体涉及一种A3B4型含镁C14结构Laves相室温可逆储氢高熵合金及其制备方法，该材料的化学式为Zr2MgV2‑xFexCrNi(x＝0～1)；通过Zr2V2‑xFexCrNi(x＝0～1)前驱体的熔炼，前驱体与Mg的湿法球磨，以及球磨样品的分步烧结，即可得到该储氢高熵合金；该高熵合金的制备方法简单，过程易控，可以克服含镁高熵合金在制备过程中成分不易控制，合金由多相组成等问题，能够精确控制含镁高熵合金的成分和相纯度。本发明制备的高熵合金含高纯C14Laves主相，且合金中不含稀土元素，轻质Mg元素含量高达14％，该高熵合金在室温下具有0.7～0.9wt.％的储氢容量，大大降低了合金的成本和密度；与其他高熵合金相比，本发明提供的高熵合金具有高纯C14Laves主相、易活化和室温下可逆吸放氢的优良性能。
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公开(公告)号：CN116516229B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202310503013.X
申请日：2023-05-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于储氢材料技术领域，具体涉及一种欠化学计量含镁C15结构Laves相室温可逆储氢高熵合金及其制备方法，该材料的化学式为Zr0.85Ti0.15MgxNi1.2Mn0.56V0.12Fe0.12(x＝0.2～0.4)。该储氢高熵合金的制备过程是先通过电弧熔炼炼制Zr0.85Ti0.15Ni1.2Mn0.56V0.12Fe0.12前驱体，破碎后与Mg粉进行混合，再对混合样品进行烧结，即可得到高熵合金。该制备方法简单易控，能够精确控制含镁高熵合金的成分，合金中不含稀土元素，同时仅含少量的V元素，并且加入的Mg含量可达12％，这大大降低了合金的成本和密度。本发明制备的欠化学计量储氢高熵合金具有C15Laves单相结构，在室温下具有0.3～1.0wt.％的储氢容量，并且具有室温快速可逆储氢和容易活化的特点，与其他高熵合金相比，本发明提供的合金具有C15Laves单相结构和在室温下快速可逆吸放氢的突出效果。
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公开(公告)号：CN116555657A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310503010.6
申请日：2023-05-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于储氢材料技术领域，具体涉及一种A3B4型含镁C14结构Laves相室温可逆储氢高熵合金及其制备方法，该材料的化学式为Zr2MgV2‑xFexCrNi(x＝0～1)；通过Zr2V2‑xFexCrNi(x＝0～1)前驱体的熔炼，前驱体与Mg的湿法球磨，以及球磨样品的分步烧结，即可得到该储氢高熵合金；该高熵合金的制备方法简单，过程易控，可以克服含镁高熵合金在制备过程中成分不易控制，合金由多相组成等问题，能够精确控制含镁高熵合金的成分和相纯度。本发明制备的高熵合金含高纯C14Laves主相，且合金中不含稀土元素，轻质Mg元素含量高达14％，该高熵合金在室温下具有0.7～0.9wt.％的储氢容量，大大降低了合金的成本和密度；与其他高熵合金相比，本发明提供的高熵合金具有高纯C14Laves主相、易活化和室温下可逆吸放氢的优良性能。
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公开(公告)号：CN116516229A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310503013.X
申请日：2023-05-06
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于储氢材料技术领域，具体涉及一种欠化学计量含镁C15结构Laves相室温可逆储氢高熵合金及其制备方法，该材料的化学式为Zr0.85Ti0.15MgxNi1.2Mn0.56V0.12Fe0.12(x＝0.2～0.4)。该储氢高熵合金的制备过程是先通过电弧熔炼炼制Zr0.85Ti0.15Ni1.2Mn0.56V0.12Fe0.12前驱体，破碎后与Mg粉进行混合，再对混合样品进行烧结，即可得到高熵合金。该制备方法简单易控，能够精确控制含镁高熵合金的成分，合金中不含稀土元素，同时仅含少量的V元素，并且加入的Mg含量可达12％，这大大降低了合金的成本和密度。本发明制备的欠化学计量储氢高熵合金具有C15Laves单相结构，在室温下具有0.3～1.0wt.％的储氢容量，并且具有室温快速可逆储氢和容易活化的特点，与其他高熵合金相比，本发明提供的合金具有C15Laves单相结构和在室温下快速可逆吸放氢的突出效果。
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