一种用于硬盘NiP的电化学机械抛光的抛光液

    公开(公告)号:CN102051665B

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201110000137.3

    申请日:2011-01-04

    Abstract: 本发明公开一种用于硬盘NiP的电化学机械抛光的抛光液,该抛光液的组成及其质量百分比是:酸:1-10%;钾盐:0.5-1%;络合剂:0.1-2%、表面活性剂:0.01-0.1%;pH调节剂KOH:1-5%;其余为水。其中酸是柠檬酸、乳酸中的一种或两种酸的混合物;钾盐是氯化钾或硝酸钾;络合剂是乙二胺或氨水或EDTA;表面活性剂是十二烷基硫酸铵、十二烷基苯磺酸铵、TX-10、NP-5、NP-9中的一种。用pH调节剂KOH将抛光液的pH值调节至5.0-6.0。本发明的抛光液中不含磨料粒子,可以在低压力(0.3-0.5psi)下进行抛光,抛光后NiP基板的表面缺陷少,有可能取代目前的化学机械抛光技术对NiP基板进行抛光。

    一种用于硬盘NiP的电化学机械抛光的抛光液

    公开(公告)号:CN102051665A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN201110000137.3

    申请日:2011-01-04

    Abstract: 本发明公开一种用于硬盘NiP的电化学机械抛光的抛光液,该抛光液的组成及其质量百分比是:酸:1-10%;钾盐:0.5-1%;络合剂:0.1-2%、表面活性剂:0.01-0.1%;pH调节剂KOH:1-5%;其余为水。其中酸是柠檬酸、乳酸中的一种或两种酸的混合物;钾盐是氯化钾或硝酸钾;络合剂是乙二胺或氨水或EDTA;表面活性剂是十二烷基硫酸铵、十二烷基苯磺酸铵、TX-10、NP-5、NP-9中的一种。用pH调节剂KOH将抛光液的pH值调节至5.0-6.0。本发明的抛光液中不含磨料粒子,可以在低压力(0.3-0.5psi)下进行抛光,抛光后NiP基板的表面缺陷少,有可能取代目前的化学机械抛光技术对NiP基板进行抛光。

    一种集成电路铜互连结构中铜的电化学机械抛光液

    公开(公告)号:CN102121127A

    公开(公告)日:2011-07-13

    申请号:CN201110000136.9

    申请日:2011-01-04

    Abstract: 本发明公开一种集成电路铜互连中铜的电化学机械抛光液,抛光液中含有水、酸、钾盐、抑制剂、络合剂、表面活性剂、分散剂和pH调节剂等。其中酸是柠檬酸、乳酸中的一种或两种酸的混合物,质量百分比是1-10%;抑制剂是尿酸,其质量百分比是0.01-0.1%。本发明的抛光液中不含磨料粒子,可以在低压力(0.5psi)下进行抛光,抛光后铜的表明缺陷少,有可能取代目前的化学机械抛光技术对铜互连中铜进行抛光。本发明中使用尿酸作为抑制剂,柠檬酸和乳酸作为酸,可以减小对环境的污染。

    一种制备脱硝催化剂的方法

    公开(公告)号:CN102357359A

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201110345605.0

    申请日:2011-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种脱硝催化剂的制备方法。该方法包括以下步骤:(1)以钛白粉厂的中间产品偏钛酸为原料,分别用稀硝酸、稀氨水、去离子水洗涤除去其杂质离子,制得偏钛酸浆料;(2)在上述偏钛酸浆料中依次加入钨酸铵、钼酸铵和偏钒酸铵,然后将上述混合物用超声波打浆,用酸调节浆料的pH至4.0~6.5;(3)将上述混合浆料静置、烘干得到催化剂粉体;(4)用模具将上述催化剂粉体压制成型制成蜂窝状,在200~600oC热处理4~10小时后即得到本发明脱硝催化剂。本发明制备脱硝催化剂的方法成本低、工艺简单且提高了NO的转化率。本发明的脱硝催化剂在350oC反应温度时,可使电厂烟气成分中NO转化率达到97%以上。

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