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发明公开
基于多宫格形贵金属坩埚的高通量提拉法晶体生长方法与装置审中-实审

公开(公告)号：CN118685851A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202411023049.9

申请日：2024-07-29

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 丁守军 , 张传成 , 吴智璞 , 邹勇 , 唐绪兵

IPC: C30B15/10 , C30B15/20

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于多宫格形贵金属坩埚的高通量提拉法晶体生长方法与装置。本发明通过对传统提拉法晶体生长所用的贵金属坩埚进行多宫格均匀等分设计，并通过调控坩埚形状参数，在采用中高频感应加热时能够在每一个等分的单格区域内获得均匀梯度的适合提拉法晶体生长的温度场分布；接着，通过采用单杆多籽晶同时接触液面下种生长或多杆多籽晶单独下种生长，实现提拉法晶体的高通量生长。该方法可满足新晶体探索、晶体多元素掺杂、以及晶体结构微调控改性等实验对高通量晶体生长的需要，大幅提升晶体生长效率，降低由于不同晶体生长批次对晶体高通量筛选实验的不一致性影响，具有较高的实际应用价值。

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