-
公开(公告)号：CN116560320A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310568115.X
申请日：2023-05-19
Applicant: 安徽大学
IPC: G05B19/418 , G06F18/2111 , G06F18/27 , G06N3/006 , G06N7/01 , C23C14/35
Abstract: 本发明涉及溅镀制程技术领域，特别涉及一种半导体溅镀制程优化控制方法、装置及介质。它提供了优化控制控制溅镀制程各变量思路，通过分析各溅镀时变量信息与成膜后片电阻信息的变化关系，找到优化各溅镀时变量信息的优化方式，达到提高溅镀质量的目的。本发明采用高斯二进制粒子群优化GPSO算法，引入高斯变异算子并优化概率映射函数，使得粒子更易跳出局部最优解，结合支持向量回归SVR模型从而实现非线性映射关系下的特征选择，同时实现高精度的片电阻值的软测量。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
