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公开(公告)号：CN119943796A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510094282.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种微纳米柱阵列骨架金属复合微凸点互连结构及制备方法，涉及电子封装技术领域，包括晶圆基底、绝缘层和数量为若干个的互连构件；本发明在键合过程中，由于微纳米柱阵列的毛细作用和抗压性，能有效克服焊料外溢问题，显著降低互连节距至5μm，大大提升封装互连密度；充分发挥微纳结构复合微凸点的优势，大大提升高熔点微纳米柱与间隙低熔点金属的扩散反应接触面积，在整个微互连结构中诱导快速生成连续的金属间化合物网络，并形成高熔点微纳米柱形阵列、低熔点微纳互连填充金属、IMC网络并存的异质微互连结构，从而在实现低温高密度键合、高温服役的同时，兼顾成本、效率、制造工艺兼容性、互连结构的高性能和高可靠性需求。
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