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公开(公告)号:CN119471006B
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202510063070.X
申请日:2025-01-15
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种用于充放电电容检测电路的温漂抑制方法及电路,属于电子电路技术领域。该电路包括:第一GPIO接口,一端与待测电容通过第一电阻连接;第一模拟开关,一端与所述待测电容连接;第二GPIO接口,一端与所述第一模拟开关的电源负极端连接,第三GPIO接口,一端与所述第一模拟开关的输出端连接;以及,第二模拟开关,输入端连接所述第一模拟开关的输出端,输出端连接第一电容;且所述第二模拟开关的输入端接能够通过第三GPIO接口接地;在充电阶段,所述待测电容能够通过第一电阻与第一GPIO接口输出的高电平进行充电,且第二GPIO接口同样输出高电平,减小第一模拟开关正负极电势差。
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公开(公告)号:CN118376267A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410357998.4
申请日:2024-03-26
Applicant: 欧姆龙(上海)有限公司 , 安徽大学
IPC: G01D5/24 , H03K17/955 , G06M1/27
Abstract: 本申请实施例提供一种电容式接近传感器以及电子设备,所述电容式接近传感器包括探测电极和参考电极,所述参考电极包括与所述探测电极相对设置的底部,所述探测电极的远离所述底部的上表面的表面积比所述上表面的正投影的面积大。由此,通过增加探测电极的表面积,增强了探测电极的上部空间的电场聚焦效能,从而提升了检测被检体有无的能力,从而提高了检测灵敏度。
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公开(公告)号:CN119471006A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202510063070.X
申请日:2025-01-15
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种用于充放电电容检测电路的温漂抑制方法及电路,属于电子电路技术领域。该电路包括:第一GPIO接口,一端与待测电容通过第一电阻连接;第一模拟开关,一端与所述待测电容连接;第二GPIO接口,一端与所述第一模拟开关的电源负极端连接,第三GPIO接口,一端与所述第一模拟开关的输出端连接;以及,第二模拟开关,输入端连接所述第一模拟开关的输出端,输出端连接第一电容;且所述第二模拟开关的输入端接能够通过第三GPIO接口接地;在充电阶段,所述待测电容能够通过第一电阻与第一GPIO接口输出的高电平进行充电,且第二GPIO接口同样输出高电平,减小第一模拟开关正负极电势差。
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公开(公告)号:CN222865950U
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202420616365.6
申请日:2024-03-27
Applicant: 欧姆龙(上海)有限公司 , 安徽大学
IPC: G01D5/24 , H03K17/955 , H05K9/00
Abstract: 本申请实施例提供一种电容式接近传感器以及电子设备,所述电容式接近传感器包括探测电极和与所述探测电极电连接的振荡电路,所述探测电极包括主电极、围绕在所述主电极的径向外侧的第一接地电极、与所述主电极相对设置的辅助电极、围绕在所述辅助电极的径向外侧的第二接地电极、以及围绕在所述第一接地电极和所述第二接地电极的径向外侧的环状接地电极,所述主电极、所述辅助电极和所述环状接地电极与所述振荡电路电连接形成电容三点式振荡电路。由此,通过在主电极和辅助电极的周围设置接地电极,显著增大了主辅电极对地耦合电容,减小了周围金属对主辅电极对地耦合电容的数值的影响,由此提高了对周围金属的屏蔽性能。
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