公开(公告)号：CN119252635A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411251946.5

申请日：2024-09-09

Applicant: 安徽大学

Inventor： 汤进 ,  李仕林 ,  廖文晨 ,  邢雨晴 ,  童华承

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明提供一种晶界扩散钕铁硼磁体基材及晶界扩散钕铁硼磁体的制备方法，涉及烧结钕铁硼材料技术领域。所述晶界扩散钕铁硼磁体基材的各成分按照质量百分比计为：29.2％≤Nd≤29.6％、0.96％≤B≤0.98％、Cu+Ga≤0.2％、Zr≤0.15％、Co≤1％、0≤Ti≤0.06％，余量为铁以及不可避免地杂质。本发明克服了现有技术的不足，通过控制元素配比以及制备过程中的精细化调控，能够解决高剩磁钕铁硼缺失晶界无法有效扩散的问题，使得基材矫顽力大幅增长并且只损失少量的剩磁。

公开(公告)号：CN119296949A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411814162.9

申请日：2024-12-11

Applicant: 安徽大学

Inventor： 汤进 ,  邢雨晴 ,  童华承 ,  廖文晨 ,  李仕林

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明提供一种扩散源及晶界扩散工艺，涉及永磁体晶界扩散技术领域。所述扩散源为采用DyF3和Sn为扩散剂混合固化剂和分散剂制备得到，并采用扩散源对磁片进行堆叠涂敷后于950‑1000℃进行一级热处理，于680‑700℃，进行二级热处理完成晶界扩散。本发明克服了现有技术的不足，该扩散源和晶界扩散工艺适合产业化应用，实现DyF3在厚磁体上的有效扩散，并提供对应的晶界扩散钕铁硼磁体，有效提升磁体的磁性能。