公开(公告)号：CN116895316A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310932872.0

申请日：2023-07-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 闫爱斌 ,  项婧 ,  常杨 ,  崔杰 ,  倪天明 ,  黄正峰

IPC: G11C11/419 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

Abstract: 本发明公开了一种基于反相器的双节点翻转加固的SRAM单元，包括单循环存储模块和六个传输管；单循环存储模块由六个二输入反相器组成，包括第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第五反相器INV5、第六反相器INV6；六个传输管包括第一传输管N7、第二传输管N8、第三传输管N9、第四传输管N10、第五传输管N11、第六传输管N12；第一传输管N7、第二传输管N8、第三传输管N9、第四传输管N10、第五传输管N11、第六传输管N12的栅极均作为SRAM单元读写数据的开关，漏极连接位线控制读写的数据，源极分别连接存储模块的存储节点。本发明使用了六个传输管和环形结构，SRAM单元节省读延迟和写延迟，环形结构产生的正反馈循环使SRAM单元从软错误中恢复。