公开(公告)号：CN114742217A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210430993.0

申请日：2022-04-22

Applicant: 安徽大学

Inventor： 朱云来 ,  邹建勋 ,  吴祖恒 ,  冯哲 ,  王旭 ,  彭星 ,  周仁发 ,  邓成功 ,  代月花

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明公开一种基于忆阻器的VFL‑RELU脉冲神经元的电路，属于集成电路设计技术领域。一种基于忆阻器的VFL‑RELU脉冲神经元的电路，包括：BDW阈值忆阻器、电容、金氧半导场效的晶体管MOSFET。所述BDW阈值忆阻器具有双边不同窗口，将所述金氧半导场效晶体管MOSFET的栅极电压作为输入电压，所述晶体管MOSFET的漏极作为输出，对所述电容充电，待所述电容上电压小于所述BDW阈值忆阻器的保持电压(Vh)，所述BDW阈值忆阻器变为高阻态，所述BDW阈值忆阻器分压变大，所述电容重新充电；所述半导场效晶体管MOSFET包括P型MOSFET和N型MOSFET，输入电压可以调谐输出脉冲频率。本发明所提供的脉冲神经元电路通过忆阻器的选择和偏置电压的添加，解决了高效脉冲神经元的电路设计问题，且电路简单。