公开(公告)号：CN118888181B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411378003.9

申请日：2024-09-30

Applicant: 安徽吸收谱仪器设备有限公司

Inventor： 金婷 ,  黄立洲 ,  邢兵

IPC: G21K1/06 ,  G01N23/083 ,  G01N23/00

Abstract: 本发明属于半导体材料精加工技术领域，涉及石英弯晶单色器及其制备方法和应用。针对现有技术中石英弯晶单色器需要正反面两次切割石英，成功率较低，划片次数多，耗时长，切割效率低，且易破裂，切割边缘不整齐，易崩边，压弯后的应力传播至表面，影响能量分辨率的技术问题。本申请提供的石英弯晶单色器，包括通过平面玻璃粘接在凹面玻璃上的石英阵列；所述石英阵列包括粘接在所述平面玻璃上的多个单晶石英；所述单晶石英的崩边＜15μm。切割边缘整齐，崩边尺寸小，能量分辨率高。本申还提供石英弯晶单色器制备方法，减少了石英划片次数，降低加工时间，提高了石英切割的效率和成功率。

公开(公告)号：CN118888181A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411378003.9

申请日：2024-09-30

Applicant: 安徽吸收谱仪器设备有限公司

Inventor： 金婷 ,  黄立洲 ,  邢兵

IPC: G21K1/06 ,  G01N23/083 ,  G01N23/00

Abstract: 本发明属于半导体材料精加工技术领域，涉及石英弯晶单色器及其制备方法和应用。针对现有技术中石英弯晶单色器需要正反面两次切割石英，成功率较低，划片次数多，耗时长，切割效率低，且易破裂，切割边缘不整齐，易崩边，压弯后的应力传播至表面，影响能量分辨率的技术问题。本申请提供的石英弯晶单色器，包括通过平面玻璃粘接在凹面玻璃上的石英阵列；所述石英阵列包括粘接在所述平面玻璃上的多个单晶石英；所述单晶石英的崩边＜15μm。切割边缘整齐，崩边尺寸小，能量分辨率高。本申还提供石英弯晶单色器制备方法，减少了石英划片次数，降低加工时间，提高了石英切割的效率和成功率。