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公开(公告)号：CN101775582B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010109082.5
申请日：2010-02-05
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明属于真空镀膜这个技术领域，特别属于一种控制行波管衰减器的真空镀膜厚度的方法，在真空镀膜机镀膜室的隔板缝处同时放置衰减器和标准试样，所述标准试样与所述衰减器等长，底部设有氧化铍陶瓷底座和导电膜，所述导电膜通过导线与真空镀膜室外的万用表相连。本发明与现有技术相比，在真空镀衰减膜时，通过万用表显示标准试样的阻值变化和通过在真空镀膜室外转动挡板转盘，来精确移动挡板位置，隔断蒸发源的蒸发路径，在移动过程中被挡板挡住部分的膜厚比没有被挡住的地方薄，从而能控制不同位置的衰减膜厚变化程度，使加工出来的衰减膜达到所需的厚度，改善了衰减器渐变段的匹配性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101789346A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010127457.0
申请日：2010-03-05
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J9/00
Abstract: 一种螺旋线行波管磁聚焦系统装配方法，属于微波真空电子器件领域，沿螺旋线行波管轴线方向，将磁环与极靴周期性交替排列成聚焦系统长度，利用与磁环尺寸相对应的半圆环状异性塞片作过度性插片，将异性塞片平行磁环间缝隙方向插入极靴间代替未装配的磁片，根据整套系统的松紧程度更换相应的异性塞片，计算需要铜片的数量或者磨削的磁片的总厚度，将开有缺口的铜片放在已经装配的磁环和极靴间。用该方法装配磁系统后，器件内部电子通过率有所提高。
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公开(公告)号：CN101789346B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010127457.0
申请日：2010-03-05
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J9/00
Abstract: 一种螺旋线行波管磁聚焦系统装配方法，属于微波真空电子器件领域，沿螺旋线行波管轴线方向，将磁环与极靴周期性交替排列成聚焦系统长度，利用与磁环尺寸相对应的半圆环状异性塞片作过度性插片，将异性塞片平行磁环间缝隙方向插入极靴间代替未装配的磁环，根据整套系统的松紧程度更换相应的异性塞片，计算需要铜片的数量或者磨削的磁环的总厚度，将开有缺口的铜片放在已经装配的磁环和极靴间。用该方法装配磁系统后，器件内部电子通过率有所提高。
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公开(公告)号：CN101775582A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010109082.5
申请日：2010-02-05
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明属于真空镀膜这个技术领域，特别属于一种控制行波管衰减器的真空镀膜厚度的方法，在真空镀膜机镀膜室的隔板缝处同时放置衰减器和标准试样，所述标准试样与所述衰减器等长，底部设有氧化铍陶瓷底座和导电膜，所述导电膜通过导线与真空镀膜室外的万用表相连。本发明与现有技术相比，在真空镀衰减膜时，通过万用表显示标准试样的阻值变化和通过在真空镀膜室外转动挡板转盘，来精确移动挡板位置，隔断蒸发源的蒸发路径，在移动过程中被挡板挡住部分的膜厚比没有被挡住的地方薄，从而能控制不同位置的衰减膜厚变化程度，使加工出来的衰减膜达到所需的厚度，改善了衰减器渐变段的匹配性能。
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公开(公告)号：CN202940213U
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201220543453.5
申请日：2012-10-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J23/24
Abstract: 本实用新型公开了一种短吸收器制作工装，其应用在夹持杆上以便在夹持杆上形成短吸收器，其包括螺旋状的加热丝以及分别固定在该加热丝两端的两个电极。本实用新型的短吸收器制作工装，通过加热丝的结构控制和夹持杆放置的位置，满足短吸收器长度的要求，制作的吸收器总长在6mm以内，过渡区控制在3mm以内，满足毫米波行波管输入段的使用要求。
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公开(公告)号：CN201022070Y
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200720005080.5
申请日：2007-02-15
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J23/30
Abstract: 一种金属薄膜衰减器，属于微波管制造工艺领域，它具有一个介质杆载体，其特征在于，沿载体轴向中部位置处有一层厚度逐渐增加的Nb2O5金属氧化薄膜溅射层，溅射层厚度以微米计量。这种厚度渐变的衰减器，对微波有优异的衰减性能，在使用中其温度系数几近为零，随温度的升高电阻率无明显变化，热稳定性好；可以经受管内电子及离子轰击而不耗散，也不会因氧化而蜕变，可以保证行波管的使用寿命。
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