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公开(公告)号：CN102260096A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110201768.1
申请日：2011-07-19
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方及其在钼-氮化铝衰减器陶瓷上的应用，其中，金属陶瓷体吸收器的金属化配方，包括质量百分含量为70～75%的钼粉和余量的铝锰玻璃粉，其应用为首先向金属化配方中加入粘结剂和助溶剂后混合，然后将混合形成的金属化膏剂涂覆在钼-氮化铝衰减器陶瓷上，最后再进行烧结处理。本发明通过改变金属陶瓷体吸收器表面的金属化配方，可有效提高钼-氮化铝衰减器陶瓷的导热系数、并使其具有真空性能优良、衰减系数大等优点，且金属化层的厚度增强，提高了钼-氮化铝衰减器陶瓷与金属封接件的封接强度。
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公开(公告)号：CN102290305B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110206523.8
申请日：2011-07-22
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J5/10
Abstract: 本发明公开一种长陶瓷筒内圆金属化的方法，其特征在于，包括如下的步骤：多次金属化层涂覆和镀镍，上述金属化层涂覆的过程包括多次涂覆烘干和一次高温烧结，上述涂覆烘干是指：先用毛笔在长陶瓷筒内圆上涂覆一遍金属化膏剂，晾干，之后放在烘箱中以50℃下烘10min，在进行完所有的涂覆烘干后，保证烘干后的金属化层的厚度为20~30μm，其有益之处在于：多次金属化层涂覆提高了长陶瓷筒内圆金属化层的均匀性和一致性以及与金属封接的气密性和可靠性；同时回避了涂层不均匀、不平整的缺点，大大降低了对人工涂覆技术的要求，提高了长陶瓷筒内圆金属化层的均匀性和一致性，同时通过两次金属化烧结使得金属化层更加致密均匀。
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公开(公告)号：CN102290305A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110206523.8
申请日：2011-07-22
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J5/10
Abstract: 本发明公开一种长陶瓷筒内圆金属化的方法，其特征在于，包括如下的步骤：多次金属化层涂覆和镀镍，上述金属化层涂覆的过程包括多次涂覆烘干和一次高温烧结，上述涂覆烘干是指：先用毛笔在长陶瓷筒内圆上涂覆一遍金属化膏剂，晾干，之后放在烘箱中以50℃下烘10min，在进行完所有的涂覆烘干后，保证烘干后的金属化层的厚度为20~30μm，其有益之处在于：多次金属化层涂覆提高了长陶瓷筒内圆金属化层的均匀性和一致性以及与金属封接的气密性和可靠性；同时回避了涂层不均匀、不平整的缺点，大大降低了对人工涂覆技术的要求，提高了长陶瓷筒内圆金属化层的均匀性和一致性，同时通过两次金属化烧结使得金属化层更加致密均匀。
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