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公开(公告)号：CN117038793A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311098929.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 安徽医科大学第一附属医院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出的双周期金纳米孔洞阵列作为Si表面电极的制备方法。其步骤如下：(1)通过匀胶提拉法在Si p‑n结的n型表面密排直径约为600nm的聚苯乙烯(PS)小球，(2)反应离子刻蚀使小球直径缩小1/4，(3)第二次密排直径约240nm的PS小球，形成双周期模板，(4)蒸镀法在双周期模板表面蒸镀一层40nm厚的金膜(或银膜)，(5)超声去除小球模板，形成双周期Au(Ag)纳米孔洞阵列。孔洞阵列产生的等离激元效应以及双周期之间的耦合效应增强了光吸收，拓宽了吸收光谱，提高了光电转换效率；作为表面电极降低了光生载流子与电极之间的输运距离(比商用梳状电极输运距离减少104倍)，削弱了光生载流子在传输过程中的复合效应。
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