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公开(公告)号：CN119143814B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411597913.6
申请日：2024-11-11
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属前驱体有机羰基钴类化合物的合成方法及装置，特别适用于二羰基环戊二烯基钴及(3,3‑二甲基‑1‑丁炔)六羰基二钴的合成制备。具体涉及化合物合成技术领域，包括以下步骤：S01~S07，原料称取包括以下成分：活性炭120份、水250份、氯化金3~9.1份、钴盐118.9~129.8份、40%~80%水合肼水溶液、30%氢氧化钠水溶液、二氯甲烷500份、环戊二烯单体69.4份；向反应釜内加入活性炭、氯化金、钴盐和水，开启搅拌，并控温10~15℃，滴加40%水合肼水溶液，滴加完毕后缓慢加热升温至50~55℃；反应液过滤，滤固烘干后投入反应釜。该发明以来源广泛、价格低廉的钴盐为原料合成羰基钴类化合物，不需要采用价格高昂的八羰基二钴等为羰基钴源与相应有机物反应合成。
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公开(公告)号：CN119320410B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411880679.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F11/00
Abstract: 本发明提供一种高纯钨配合物的合成方法，涉及化学合成技术领域，在氮气气氛下，向反应容器中加入六氯化钨和烷烃溶剂，降温至0℃，滴加叔丁胺，恢复室温搅拌，过滤、洗涤得到滤液，向滤液中滴加三甲基氯硅烷，加热反应，恢复室温后滴加吡啶，反应得到(tBuN)2WCl2(py)2中间体，向中间体中加入甲苯和二烷基胺，反应后过滤、洗涤、蒸干溶剂并精馏，得到高纯钨配合物，通过优化反应条件和原料配比，本发明的合成方法使得高纯钨配合物的收率大幅提升，相比现有技术，有效减少了原料的浪费，提高了生产效率，成功实现了产品金属纯度达到5N，满足了半导体领域对产品金属纯度的严苛要求，有助于提升后续应用产品的性能和质量。
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公开(公告)号：CN119143814A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411597913.6
申请日：2024-11-11
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属前驱体有机羰基钴类化合物的合成方法及装置，特别适用于二羰基环戊二烯基钴及(3,3‑二甲基‑1‑丁炔)六羰基二钴的合成制备。具体涉及化合物合成技术领域，包括以下步骤：S01~S07，原料称取包括以下成分：活性炭120份、水250份、氯化金3~9.1份、钴盐118.9~129.8份、40%~80%水合肼水溶液、30%氢氧化钠水溶液、二氯甲烷500份、环戊二烯单体69.4份；向反应釜内加入活性炭、氯化金、钴盐和水，开启搅拌，并控温10~15℃，滴加40%水合肼水溶液，滴加完毕后缓慢加热升温至50~55℃；反应液过滤，滤固烘干后投入反应釜。该发明以来源广泛、价格低廉的钴盐为原料合成羰基钴类化合物，不需要采用价格高昂的八羰基二钴等为羰基钴源与相应有机物反应合成。
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公开(公告)号：CN119320410A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411880679.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F11/00
Abstract: 本发明提供一种高纯钨配合物的合成方法，涉及化学合成技术领域，在氮气气氛下，向反应容器中加入六氯化钨和烷烃溶剂，降温至0℃，滴加叔丁胺，恢复室温搅拌，过滤、洗涤得到滤液，向滤液中滴加三甲基氯硅烷，加热反应，恢复室温后滴加吡啶，反应得到(tBuN)2WCl2(py)2中间体，向中间体中加入甲苯和二烷基胺，反应后过滤、洗涤、蒸干溶剂并精馏，得到高纯钨配合物，通过优化反应条件和原料配比，本发明的合成方法使得高纯钨配合物的收率大幅提升，相比现有技术，有效减少了原料的浪费，提高了生产效率，成功实现了产品金属纯度达到5N，满足了半导体领域对产品金属纯度的严苛要求，有助于提升后续应用产品的性能和质量。
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