一种不锈钢基板厚膜电路绝缘介质浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111063477B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN201911306242.2

    申请日:2019-12-18

    Inventor: 袁正勇 戴宇虹

    Abstract: 本发明属于厚膜电路技术领域,具体涉及一种不锈钢基板厚膜电路绝缘介质浆料及其制备方法。该绝缘介质浆料包括质量百分比为(70‑80):(30‑20)无机相复合粉体和有机载体,且无机相复合粉体成分为SiO2‑B2O3‑Rb2O‑SrO‑WO3‑Tm2O3‑Si3N4。Rb2O和SrO成分既可以调节厚膜介质层的热膨胀系数与不锈钢基板的热膨胀系数相接近,还可以提高厚膜介质层的烧结密度。WO3和Tm2O3提高无机相与不锈钢基板的结合力,WO3还作为成核剂,使厚膜介质层具有更好的物理致密度和化学稳定性。Si3N4成分提高了绝缘介质层的高温强度和耐磨性,还使膜层更加平整润滑。

    一种不锈钢基板厚膜电路绝缘介质浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111063477A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911306242.2

    申请日:2019-12-18

    Inventor: 袁正勇 戴宇虹

    Abstract: 本发明属于厚膜电路技术领域,具体涉及一种不锈钢基板厚膜电路绝缘介质浆料及其制备方法。该绝缘介质浆料包括质量百分比为(70-80):(30-20)无机相复合粉体和有机载体,且无机相复合粉体成分为SiO2-B2O3-Rb2O-SrO-WO3-Tm2O3-Si3N4。Rb2O和SrO成分既可以调节厚膜介质层的热膨胀系数与不锈钢基板的热膨胀系数相接近,还可以提高厚膜介质层的烧结密度。WO3和Tm2O3提高无机相与不锈钢基板的结合力,WO3还作为成核剂,使厚膜介质层具有更好的物理致密度和化学稳定性。Si3N4成分提高了绝缘介质层的高温强度和耐磨性,还使膜层更加平整润滑。

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