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公开(公告)号：CN112164592B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010949994.7
申请日：2020-09-03
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明提供一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法。该方包括以下步骤：将钴盐、咪唑类配体和溶剂混合后加入泡沫镍，通过反应在泡沫镍基底上生长沸石咪唑酯骨架Co‑ZIF‑L纳米片阵列；然后，将Co‑ZIF‑L纳米片阵列加入到硫源溶液中，通过水热硫化生成Co3S4纳米片阵列；以此为前驱体加入铈盐、沉淀剂、溶剂，通过溶剂热反应得到CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列。本方法制备的CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列，可直接用作超级电容器的电极，与Co3S4纳米片阵列前驱体相比，比电容提高了114.8％(0.5A/g条件下)。
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公开(公告)号：CN112164592A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010949994.7
申请日：2020-09-03
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明提供一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法。该方包括以下步骤：将钴盐、咪唑类配体和溶剂混合后加入泡沫镍，通过反应在泡沫镍基底上生长沸石咪唑酯骨架Co‑ZIF‑L纳米片阵列；然后，将Co‑ZIF‑L纳米片阵列加入到硫源溶液中，通过水热硫化生成Co3S4纳米片阵列；以此为前驱体加入铈盐、沉淀剂、溶剂，通过溶剂热反应得到CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列。本方法制备的CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列，可直接用作超级电容器的电极，与Co3S4纳米片阵列前驱体相比，比电容提高了114.8％(0.5A/g条件下)。
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公开(公告)号：CN112599359B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202011572463.7
申请日：2020-12-14
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明提供一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料及其制备方法。本发明提供了一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料的制备方法，包括以下步骤：混合铈盐、羧酸类配体和溶剂，静置一段时间，原位生长棒束状铈基金属有机框架材料，Ce‑MOF；再通过高温煅烧得到束状氧化铈。将棒束状氧化铈、钴盐、镍盐、成核剂分散于溶剂中，溶剂热反应后得到前驱体；然后将前驱体加入到硫源溶液中，硫化得到硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料。本发明将硫化钴镍纳米片铆定在氧化铈导电基底上，解决了硫化物易团聚、活性位点少、导电性差、不稳定的缺点。
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公开(公告)号：CN114678224A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210280889.8
申请日：2022-03-06
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明提供一种Co3S4纳米中空笼包裹的V2O5纳米线材料及其制备方法。本发明提供了一种Co3S4纳米中空笼包裹的V2O5纳米线材料的制备方法，包括以下步骤：混合商业V2O5、NaCl和溶剂，油浴加热，细化拉丝商业氧化钒构筑V2O5纳米线。将V2O5纳米线、钴盐和有机配体分散于溶剂中，室温静置得到前驱体；然后将前驱体加入到硫源溶液中，硫化得到Co3S4纳米中空笼包裹的V2O5纳米线材料。本发明将Co3S4纳米中空笼镶嵌在V2O5纳米线导电基底上，加快电子传输、减少硫化物的团聚以及改善材料的机械性能从而得到高比电容高和高稳定性的电极材料。
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公开(公告)号：CN112599359A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011572463.7
申请日：2020-12-14
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明提供一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料及其制备方法。本发明提供了一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料的制备方法，包括以下步骤：混合铈盐、羧酸类配体和溶剂，静置一段时间，原位生长棒束状铈基金属有机框架材料，Ce‑MOF；再通过高温煅烧得到束状氧化铈。将棒束状氧化铈、钴盐、镍盐、成核剂分散于溶剂中，溶剂热反应后得到前驱体；然后将前驱体加入到硫源溶液中，硫化得到硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料。本发明将硫化钴镍纳米片铆定在氧化铈导电基底上，解决了硫化物易团聚、活性位点少、导电性差、不稳定的缺点。
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