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发明公开
一种晶硅切割废料中高纯硅的回收方法审中-公开

公开(公告)号：CN118877895A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410901151.8

申请日：2024-07-05

申请人： 宁夏大学

发明人： 陈广玉 , 庄开源 , 郑英杰 , 邓安强 , 何占伟 , 赵紫薇 , 高忙忙 , 夏明许

IPC分类号： C01B33/037

摘要： 本发明提供了一种晶硅切割废料中高纯硅的回收方法，包括在晶硅切割废料粉末中混入少量碳酸盐和粘结剂，得到晶硅切割废料粉体、碳酸盐、粘结剂的均匀混合物；混合物压制成坯体后去除粘结剂、进行SPS处理，利用碳酸盐消解晶硅切割废料SiO2包覆层；同时，碳酸盐分解形成的CO2微气泡冲击SiO2包覆层，起到加速消解的作用；提高烧结炉功率，将样品进一步熔融。冷却后，石墨坩埚上部为含有晶硅切割废料SiO2包覆层的氧化物层，石墨坩埚下部即为回收得到的高纯Si层。本发明中，CO2微气泡的冲击作用加速了晶硅切割废料SiO2包覆层的消解，可以显著提高硅的回收率。