公开(公告)号：CN115628821B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202211369289.5

申请日：2022-11-03

Applicant: 宁夏大学

Inventor： 梁森 ,  崔景贺 ,  王健 ,  蒋权伟 ,  王林

IPC: G01K7/16 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明提供一种基于VO2薄膜的温度传感器及其制备方法，属于温度传感器技术领域，其中，所述基于VO2薄膜的温度传感器，包括从下到上依次层叠的金属电极、单晶硅衬底、防护层、缓冲层、VO2薄膜、金属电极。本发明的基于VO2薄膜的温度传感器中VO2薄膜的相变温度达到73.6℃，相变幅度R达到1097.31，使其能够适应高于VO2本征相变温度的工作环境，具有优异的电学性能。

公开(公告)号：CN115628821A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211369289.5

申请日：2022-11-03

Applicant: 宁夏大学

Inventor： 梁森 ,  崔景贺 ,  王健 ,  蒋权伟 ,  王林

IPC: G01K7/16 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明提供一种基于VO2薄膜的温度传感器及其制备方法，属于温度传感器技术领域，其中，所述基于VO2薄膜的温度传感器，包括从下到上依次层叠的金属电极、单晶硅衬底、防护层、缓冲层、VO2薄膜、金属电极。本发明的基于VO2薄膜的温度传感器中VO2薄膜的相变温度达到73.6℃，相变幅度R达到1097.31，使其能够适应高于VO2本征相变温度的工作环境，具有优异的电学性能。