公开(公告)号：CN100527362C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680008202.4

申请日：2006-03-10

Applicant: 学校法人同志社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 千田二郎 ,  大岛元启 ,  石田耕三 ,  富永浩二

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31637 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: 本发明所涉及的成膜装置可以高速且重现性良好地形成减少氧欠缺的金属氧化膜或金属氮化膜，同时实现装置的小型化。本发明所涉及的成膜装置，具有将基板(2)保持在内部的成膜室(3)和将液体原料直接喷射到成膜室(3)内的喷射阀(4)，上述液体原料为含有金属化合物和低沸点有机化合物的混合溶液，所述成膜室内的压力被减压、并且使上述成膜室(3)内的压力大于与上述低沸点有机化合物混合前的上述金属化合物的蒸气压，且小于上述混合溶液的蒸气压。

公开(公告)号：CN101142662A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200680008202.4

申请日：2006-03-10

Applicant: 学校法人同志社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 千田二郎 ,  大岛元启 ,  石田耕三 ,  富永浩二

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31637 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: 本发明所涉及的成膜装置可以高速且重现性良好地形成减少氧欠缺的金属氧化膜或金属氮化膜，同时实现装置的小型化。本发明所涉及的成膜装置，具有将基板(2)保持在内部的成膜室(3)和将液体原料直接喷射到成膜室(3)内的喷射阀(4)，上述液体原料为含有金属化合物和低沸点有机化合物的混合溶液，使上述成膜室(3)内的压力大于与上述低沸点有机化合物混合前的上述金属化合物的蒸气压，且小于上述混合溶液的蒸气压。