公开(公告)号：CN117626251A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311622820.X

申请日：2023-11-29

Applicant: 季华实验室

Inventor： 胡晓圻 ,  王瑞 ,  杨季鑫 ,  毕云杰

IPC: C23C24/10 ,  B23P15/00

Abstract: 本发明提出一种回转体零件涂层制备装置，具体涉及于增材制造技术领域,所述回转体零件涂层制备装置包括滚压装置，其中：所述滚压装置包括支撑架，所述支撑架一侧上设有第一驱动机构，所述第一驱动机构设有三个，三个所述第一驱动机构互成120°布置于所述支撑架上并与所述支撑架固定连接，所述第一驱动机构输出端连有滚压组件，所述滚压组件包括导向机构，所述导向机构另一侧设有滚压轮，所述滚压轮通过滚压轴承与所述导向机构另一侧活动连接，本发明由滚压轮进行滚压加工，通过滚压轮的连续滚压，可以基本消除熔覆成形涂层过程中固有的气孔、夹渣、缩孔、未熔合、开裂、流淌等熔积缺陷，进而提高涂层的质量和使用寿命。

公开(公告)号：CN116493604A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310411217.0

申请日：2023-04-17

Applicant: 季华实验室

Inventor： 王瑞 ,  胡晓圻 ,  杨季鑫 ,  吴梦园

IPC: B22F10/28 ,  B22F10/85 ,  B22F12/90 ,  B33Y40/00 ,  B33Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种激光沉积成形方法、电子设备及存储介质，涉及增材制造技术领域，该方法包括：获取回转体三维模型，对所述回转体三维模型进行切片处理，得到多个具有不同切片方向的切片层，所述切片方向为与所述回转体三维模型的骨架线切向方向垂直的方向；在所述切片层中划分成形轨迹；确定与所述切片层对应的姿态参数；根据所述姿态参数控制激光熔覆头到达与所述切片层对应的姿态，再开启激光，沉积成形所述成形轨迹，直至完成所有成形轨迹的成形，得到回转体零件。本发明通过变方向切片和调整激光熔覆头姿态，实现了提高回转体零件成形质量的技术效果。

公开(公告)号：CN115673340A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211366612.3

申请日：2022-11-02

Applicant: 季华实验室

Inventor： 王瑞 ,  胡晓圻 ,  赵豪 ,  陈国超 ,  杨季鑫

IPC: B22F10/366 ,  B22F10/50 ,  B22F12/90 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00

Abstract: 本申请公开了一种激光增材‑随形滚压复合的路径规划方法、设备及介质，涉及激光增材制造领域，该方法包括：获取待成形零件的分层轮廓，根据预设的偏移距离在所述分层轮廓中划分出轮廓轨迹；确定所述轮廓轨迹的外接包围区域，根据所述轮廓轨迹在所述外接包围区域中的投影参数获取成形方向变换策略；根据所述投影参数以及预设的间距参数在所述轮廓轨迹内构建直线填充轨迹；根据所述成形方向变换策略将所述轮廓轨迹和所述直线填充轨迹组合为实际成形轨迹，以供成形设备根据所述实际成形轨迹进行复合成形。本申请通过轮廓轨迹和直线填充轨迹对待成形零件的尺寸区域进行路径规划，实现了提高金属零件的成形质量的技术效果。

公开(公告)号：CN118023547A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410029297.8

申请日：2024-01-08

Applicant: 季华实验室

Inventor： 王瑞 ,  胡晓圻 ,  杨季鑫 ,  毕云杰

IPC: B22F10/85 ,  B22F12/00 ,  B22F10/28 ,  B29C64/153 ,  B29C64/393 ,  B28B1/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02

Abstract: 本发明公开了一种基于阵列平面切片的曲面增材路径规划方法、设备及介质，属于增材制造技术领域，该方法包括：获取待成形零件的三维模型；在所述三维模型中选取平面法向量，基于所述平面法向量和预设初始偏移量构造多个切片平面；确定所述切片平面中的基准偏移曲线；以预设切片层厚为偏移间距，将所述基准偏移曲线在所述切片平面中进行偏移，得到各所述切片平面中的局部增材路径；从所述三维模型的底部开始，将所述局部增材路径连接形成全局增材往复路径。本发明实现了提高曲面增材的成形效率的技术效果。

公开(公告)号：CN119426621A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411572838.8

申请日：2024-11-06

Applicant: 季华实验室

Inventor： 杨季鑫 ,  胡晓圻 ,  谷旭 ,  毕云杰

IPC: B22F10/50 ,  B22F10/64 ,  B22F10/20 ,  C21D1/18 ,  C22C38/08 ,  C22C38/04 ,  C22C38/02 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/00 ,  B33Y40/20

Abstract: 本发明提供了一种激光熔覆制备高强度低热膨胀因瓦合金的方法及高强度低热膨胀因瓦合金。本发明的激光熔覆制备高强度低热膨胀因瓦合金的方法，在每一层打印过程中，在打印因瓦合金的同时，利用一辊压头朝打印方向沿打印的因瓦合金表面移动，辊压头对因瓦合金施加一定的载荷压力；该方法可显著细化因瓦合金晶粒，改善打印过程中残余应力分布，通过原位辊压引入塑性变形来控制打印过程中缺陷尺寸和数量，提高打印构件致密度；本发明在保证激光熔覆工艺制备因瓦合金构件在保证低热膨胀系数的前提下，大幅提高因瓦合金构件屈服强度。