半导体硅片腐蚀液
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101608308A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200910017216.8

    申请日:2009-07-11

    Abstract: 一种半导体硅片腐蚀液,涉及微机械加工,按重量百分比,氢氧化钾20-30%,异丙醇10-15%,其余为水,搅拌均匀制成品,异丙醇对(100)硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用,而对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小,腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构时,在晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同,腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构不变形,适用于腐蚀加工晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向,如正六边形、正八边形等半导体(100)硅片的微机械结构。

    加速度检波器中间可动电极

    公开(公告)号:CN101604027A

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200910017217.2

    申请日:2009-07-11

    Abstract: 一种加速度检波器中间可动电极,涉及加速度检波器,设有正六边形质量块,质量块上设有排气孔,边框上设有排气槽,质量块表面设有金属极板,质量块上均布单层三臂支撑梁,支撑梁与边框内侧相连接,与边框、质量块、支撑梁相对应平行设有下边框、下质量块、下支撑梁,边框与下边框贴合成整体,为整体边框,质量块与下质量块贴合成整体,为整体质量块,形成双层支撑梁,整体质量块质量大,双层支撑梁支撑稳定,灵敏度高,动态范围大,振动稳定,波形失真小,适用于加速度检波器。

    加速度检波器中间可动电极

    公开(公告)号:CN201444204U

    公开(公告)日:2010-04-28

    申请号:CN200920029294.5

    申请日:2009-07-11

    Abstract: 一种加速度检波器中间可动电极,涉及加速度检波器,设有正六边形质量块,质量块上设有排气孔,边框上设有排气槽,质量块表面设有金属极板,质量块上均布单层三臂支撑梁,支撑梁与边框内侧相连接,与边框、质量块、支撑梁相对应平行设有下边框、下质量块、下支撑梁,边框与下边框贴合成整体,为整体边框,质量块与下质量块贴合成整体,为整体质量块,形成双层支撑梁,整体质量块质量大,双层支撑梁支撑稳定,灵敏度高,动态范围大,振动稳定,波形失真小,适用于加速度检波器。

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