层叠陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:CN111564311B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202010090132.3

    申请日:2020-02-13

    发明人: 加藤洋一

    IPC分类号: H01G4/12 H01G4/30

    摘要: 本发明提供能够确保高耐久性、并且实现小型化和大电容化的层叠陶瓷电容器及其制造方法。层叠陶瓷电容器包括电容形成部和保护部。电容形成部包括:在第一方向上层叠的多个陶瓷层;和配置在多个陶瓷层之间的多个内部电极。保护部包括覆盖部、侧边缘部和棱部,其中,覆盖部覆盖电容形成部、且构成朝向第一方向的主面,侧边缘部构成朝向与第一方向正交的第二方向的侧面,棱部构成用于连接主面和侧面的连接部。多个陶瓷层由第一陶瓷形成,棱部由第二陶瓷形成。第一陶瓷为以不包含晶内孔隙的结晶颗粒为主成分的多晶体。第二陶瓷为以包含晶内孔隙的结晶颗粒为主成分的多晶体,并且第二陶瓷的硅的含量比第一陶瓷多。

    陶瓷电子器件及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115148499A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210323334.7

    申请日:2022-03-30

    发明人: 加藤洋一

    摘要: 一种陶瓷电子器件,包括:层叠结构,具有大致长方体形状并且包括交替层叠的电介质层和内部电极层,电介质层主要由陶瓷构成,内部电极层形成为交替暴露于层叠结构的彼此相对的两个端面;以及覆盖层,其在层叠方向上分别设置在层叠结构的顶面和底面,覆盖层主要由陶瓷组成,其中,覆盖层中Sn相对于主成分陶瓷的浓度和侧缘部中Sn相对于主成分陶瓷的浓度中的至少一个高于电容部中Sn相对于主成分陶瓷的浓度。

    层叠陶瓷电子部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110010346A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201811509537.5

    申请日:2018-12-11

    发明人: 加藤洋一

    摘要: 本发明提供了一种耐湿性优异的层叠陶瓷电子部件,上述层叠陶瓷电子部件包括层叠体和侧边缘部。上述层叠体包括在第一方向上层叠的多个陶瓷层、配置于上述多个陶瓷层之间的多个内部电极、朝向上述第一方向的主面、朝向与上述第一方向正交的第二方向且露出有上述多个内部电极的侧面。上述侧边缘部具有配置于上述侧面上的侧面覆盖部、从上述侧面覆盖部延伸至上述主面上且孔隙率比上述侧面覆盖部低的带圆弧的端部。

    层叠陶瓷电容器和其制造方法

    公开(公告)号:CN106887333A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201610980495.8

    申请日:2016-11-08

    IPC分类号: H01G4/30 H01G4/12 H01G4/224

    摘要: 本发明提供能够得到侧边缘部的高接合性的层叠陶瓷电容器和其制造方法。层叠陶瓷电容器具有层叠部、侧边缘部和接合部。上述层叠部具有在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在上述多个陶瓷层之间的内部电极。上述侧边缘部从与上述第一方向正交的第二方向覆盖上述层叠部。上述接合部配置在上述层叠部与上述侧边缘部之间,其硅的含量比上述多个陶瓷层和上述侧边缘部多。

    层叠陶瓷电子部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110010346B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201811509537.5

    申请日:2018-12-11

    发明人: 加藤洋一

    摘要: 本发明提供了一种耐湿性优异的层叠陶瓷电子部件,上述层叠陶瓷电子部件包括层叠体和侧边缘部。上述层叠体包括在第一方向上层叠的多个陶瓷层、配置于上述多个陶瓷层之间的多个内部电极、朝向上述第一方向的主面、朝向与上述第一方向正交的第二方向且露出有上述多个内部电极的侧面。上述侧边缘部具有配置于上述侧面上的侧面覆盖部、从上述侧面覆盖部延伸至上述主面上且孔隙率比上述侧面覆盖部低的带圆弧的端部。

    陶瓷电子元件及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113327768A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202110205937.2

    申请日:2021-02-24

    发明人: 加藤洋一

    IPC分类号: H01G4/12 H01G4/224 H01G4/30

    摘要: 本发明提供一种陶瓷电子元件,其包括层叠结构,该层叠结构包括电介质层和内部电极层,内部电极层交替地露出于层叠芯片的彼此5相对的两个端面。侧边缘的第一稀土元素的离子半径小于电容部的第一稀土元素的离子半径。侧边缘的第一稀土元素是当向侧边缘添加仅一种稀土元素时的该稀土元素,或者是当向侧边缘添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素。电容部的第一稀土元素是当向电容部添加仅一种稀土元素时的该稀土元素,或者是当向电容部添加多种稀土元素10时的量最大的稀土元素。