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公开(公告)号：CN108169292A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711369892.2
申请日：2017-12-19
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明属气体传感器制备技术领域，提供一种Au和Cl共修饰的LaFeO3基乙醇气体传感器及其制备方法，LaFeO3溶液中加入与其质量比为1:100的质量分数为1%的HAuCl4水溶液，溶胶凝胶法制备Au和Cl共同修饰的LaFeO3纳米粉体，制备成旁热式陶瓷管结构气体传感器元件。制备的气体传感器元件对乙醇的最佳工作温度为128℃；在最佳工作温度下对100ppm乙醇的气体响应为47.7，96小时后无太大变化，有很好的稳定性；对100ppm DMF、二氯甲烷、正己烷、二氧化碳、氢气气体响应在23.3以下，有很好的选择性；对20ppm乙醇的气体响应达19.5，对低浓度乙醇气体有很高的气体响应。
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公开(公告)号：CN108169292B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201711369892.2
申请日：2017-12-19
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明属气体传感器制备技术领域，提供一种Au和Cl共修饰的LaFeO3基乙醇气体传感器及其制备方法，LaFeO3溶液中加入与其质量比为1:100的质量分数为1%的HAuCl4水溶液，溶胶凝胶法制备Au和Cl共同修饰的LaFeO3纳米粉体，制备成旁热式陶瓷管结构气体传感器元件。制备的气体传感器元件对乙醇的最佳工作温度为128℃；在最佳工作温度下对100ppm乙醇的气体响应为47.7，96小时后无太大变化，有很好的稳定性；对100ppm DMF、二氯甲烷、正己烷、二氧化碳、氢气气体响应在23.3以下，有很好的选择性；对20ppm乙醇的气体响应达19.5，对低浓度乙醇气体有很高的气体响应。
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公开(公告)号：CN103066171B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210541857.5
申请日：2012-12-14
申请人： 太原理工大学
摘要： 一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法，其所述异质结是由衬底上的n-Zn1-xMgxO薄膜层和p-Ni1-yMgyO薄膜层构成；其所述方法是将ZnO、MgO与Al2O3粉末，或者ZnO、MgO与Ga2O3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶材；将NiO、MgO和Li2CO3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Li的Ni1-yMgyO陶瓷靶材；将衬底置于脉冲激光沉积装置，调整靶材与衬底间距离，在适当的衬底温度、氧气压强和激光频率下，以掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶为溅射靶材，在衬底上沉积n-Zn1-xMgxO薄膜层；然后以掺Li的Ni1-yMgyO陶瓷靶为溅射靶材，在n-Zn1-xMgxO薄膜层上沉积p-Ni1-yMgyO薄膜层，获得Zn1-xMgxO基异质结。本发明方法简单，成本低廉，生长条件易控且界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能，所获得的Zn1-xMgxO基异质结在短波长光电子器件和透明电子学领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103066171A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210541857.5
申请日：2012-12-14
申请人： 太原理工大学
摘要： 一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法，其所述异质结是由衬底上的n-Zn1-xMgxO薄膜层和p-Ni1-yMgyO薄膜层构成；其所述方法是将ZnO和MgO与Al2O3或Ga2O3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶材；将NiO、MgO和Li2CO3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Li的Ni1-xMgxO陶瓷靶材；将衬底置于脉冲激光沉积装置，调整靶材与衬底间距离，在适当的衬底温度、氧气压强和激光频率下，以掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶为溅射靶材，在衬底上沉积n-Zn1-xMgxO薄膜层；然后以掺Li的Ni1-xMgxO陶瓷靶为溅射靶材，在n-Zn1-xMgxO薄膜层上沉积p-Ni1-yMgyO薄膜层，获得Zn1-xMgxO基异质结。本发明方法简单，成本低廉，生长条件易控且界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能，所获得的Zn1-xMgxO基异质结在短波长光电子器件和透明电子学领域具有广泛的应用前景。
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