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公开(公告)号：CN115111808B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210854389.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于热泵技术领域，具体涉及一种压缩喷射式双温热泵系统，本发明在两台不同温度的冷凝器之间设两相流驱动的喷射器，引射来自过冷换热器的气态制冷剂，减少节流损失，并对低温冷凝液进行过冷，在实现双温供热的同时，增大了系统制热量，提高了系统COP，而且，还设置了工质泵和发生器，在有低品位热源时，可利用低品位热源辅助供热，进一步提高系统COP。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115111808A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210854389.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于热泵技术领域，具体涉及一种压缩喷射式双温热泵系统，本发明在两台不同温度的冷凝器之间设两相流驱动的喷射器，引射来自过冷换热器的气态制冷剂，减少节流损失，并对低温冷凝液进行过冷，在实现双温供热的同时，增大了系统制热量，提高了系统COP，而且，还设置了工质泵和发生器，在有低品位热源时，可利用低品位热源辅助供热，进一步提高系统COP。
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公开(公告)号：CN103500780B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310453881.8
申请日：2013-09-29
Applicant: 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及GaN基LED外延结构，具体是一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法。本发明解决了现有GaN基LED外延结构发光效率较低、光电性能较差、以及良率较低的问题。一种氮化镓基LED外延结构包括蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层、多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型GaN接触层；其中，低温GaN缓冲层生长于蓝宝石衬底的上表面；未掺杂GaN层生长于低温GaN缓冲层的上表面；n型掺杂GaN层生长于未掺杂GaN层的上表面；超晶格层生长于n型掺杂GaN层的上表面；多量子阱发光层生长于超晶格层的上表面。本发明适用于制造半导体发光器件。
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公开(公告)号：CN103500780A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310453881.8
申请日：2013-09-29
Applicant: 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及GaN基LED外延结构，具体是一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法。本发明解决了现有GaN基LED外延结构发光效率较低、光电性能较差、以及良率较低的问题。一种氮化镓基LED外延结构包括蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层、多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型GaN接触层；其中，低温GaN缓冲层生长于蓝宝石衬底的上表面；未掺杂GaN层生长于低温GaN缓冲层的上表面；n型掺杂GaN层生长于未掺杂GaN层的上表面；超晶格层生长于n型掺杂GaN层的上表面；多量子阱发光层生长于超晶格层的上表面。本发明适用于制造半导体发光器件。
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公开(公告)号：CN109802021A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910235749.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
Abstract: 本发明提供一种InGaN量子点发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底；设于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设于n型GaN层上面的第一GaN势垒层；设于第一GaN势垒层上面的量子阱区，量子阱区包括5～15周期的量子阱层，每个量子阱层从下至上依次包括InGaN量子点层、非线性变速生长的量子点盖层和第二GaN势垒层；设于量子阱区上面的p型AlGaN电子阻挡层；设于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设于p型GaN层上面的p++型GaN电极接触层。本发明能有效抑制量子点处In组分的偏析，减少界面位错的攀移，从而减少阱垒界面的位错密度，使量子点分布趋于均匀，实现高密度高性能InGaN量子点的制备。
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公开(公告)号：CN209389055U
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201920401393.5
申请日：2019-03-27
Applicant: 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
Abstract: 本实用新型提供一种InGaN量子点发光二极管，属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底；设于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设于n型GaN层上面的第一GaN势垒层；设于第一GaN势垒层上面的量子阱区，量子阱区包括5～15周期的量子阱层，每个量子阱层从下至上依次包括InGaN量子点层、非线性变速生长的量子点盖层和第二GaN势垒层；设于量子阱区上面的p型AlGaN电子阻挡层；设于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设于p型GaN层上面的p++型GaN电极接触层。本实用新型能有效抑制量子点处In组分的偏析，减少界面位错的攀移，从而减少阱垒界面的位错密度，使量子点分布趋于均匀，实现高密度高性能InGaN量子点的制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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