公开(公告)号：CN114755867A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202111548758.5

申请日：2021-12-17

Applicant: 天津科技大学

Inventor： 孙冬兰 ,  安佳钰 ,  杜晓蕊 ,  张洪锋 ,  刘靖 ,  成德华 ,  曹静 ,  窦广鹏

IPC: G02F1/1524 ,  B05D7/24 ,  B05D5/06 ,  B05D3/04 ,  B05D3/02

Abstract: 本发明公开了一种掺杂五氧化二磷的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，包括溶胶凝胶法和化学气相沉积法，属于导电材料技术领域。本发明的掺杂五氧化二磷的氧化钨电致变色薄膜及器件结构为玻璃或PET膜/导电层/掺杂五氧化二磷或磷酸的氧化钨薄膜/电解质层/离子储存层(对电极层)/导电层/玻璃或PET膜。玻璃、PET膜为基底，锡掺杂的氧化铟(ITO)、氟掺杂的氧化锡(FTO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、锑掺杂的氧化锡(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜为透明导电层，氧化钨薄膜为电致变色层。掺杂于氧化钨薄膜中的五氧化二磷或磷酸提高了氧化钨的着色效率和薄膜循环寿命，可以应用于实际生活中。